[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210529859.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103107239A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊瑞鵬;韓啟成;劉祥超;吳佩蓮;楊振凱;濮慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州賽昂電力有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0352
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片為第一摻雜類型單晶硅片；

在所述基片表面形成第一應(yīng)力層，并進(jìn)行退火處理，所述第一應(yīng)力層的應(yīng)力類型與基片的摻雜類型相對(duì)應(yīng)；

去除所述第一應(yīng)力層；

在所述基片表面形成第二摻雜類型非晶硅層；

在所述第二摻雜類型非晶硅層表面形成透明導(dǎo)電層；

在所述透明導(dǎo)電層表面形成第一電極；

在所述基片下表面形成第二電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述基片為P型單晶硅片，所述第一應(yīng)力層具有壓應(yīng)力，所述第二摻雜類型非晶硅層為N型層；或者所述基片為N型單晶硅片，所述第一應(yīng)力層具有張應(yīng)力，所述第二摻雜類型非晶硅層為P型層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述具有壓應(yīng)力的應(yīng)力層的形成方法包括：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝，其中，NH₂和SiH₄作為反應(yīng)氣體，惰性氣體作為載氣，反應(yīng)溫度為200℃~500℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為100mTorr~200mTorr，并且提供一個(gè)功率為10W～100W，頻率為50KHz~500kHz的低頻功率源。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述具有張應(yīng)力的應(yīng)力層的形成方法包括：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝，其中，NH₂和SiH₄作為反應(yīng)氣體，惰性氣體作為載氣，反應(yīng)溫度為200℃~500℃，反應(yīng)壓強(qiáng)為100mTorr~200mTorr，并且提供一個(gè)功率為10W～100W，頻率為10MHz~15MHz的射頻功率源。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力層的形成工藝包括熱化學(xué)氣相沉積或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，所述第一應(yīng)力層的厚度為0.5nm~100nm，應(yīng)力的數(shù)值范圍為200MPa~1000MPa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述進(jìn)行退火處理的工藝為快速熱退火工藝，退火的溫度范圍為200℃~800℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述去除第一應(yīng)力層的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，還包括，在形成所述透明導(dǎo)電層之前，在第二摻雜類型非晶硅層表面形成第二應(yīng)力層，所述第二應(yīng)力層的應(yīng)力類型與第二摻雜類型非晶硅層的摻雜類型相對(duì)應(yīng)，退火后去除所述第二應(yīng)力層，所述第二應(yīng)力層具有與第一應(yīng)力層相反的應(yīng)力類型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，還包括，在形成第二摻雜類型非晶硅層之前，先在所述基片上表面形成隧穿氧化層，所述隧穿氧化層的厚度范圍為材料為氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，還包括，在形成第二電極之前，在所述基片下表面依次形成第一摻雜類型重?fù)诫s非晶硅層和位于所述第一摻雜類型重?fù)诫s非晶硅層表面的第二透明導(dǎo)電層。

12.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括：

基片，所述基片為第一摻雜類型單晶硅片，且受到第一應(yīng)力，所述第一應(yīng)力的應(yīng)力類型與基片的摻雜類型相對(duì)應(yīng)；

位于所述基片上表面的第二摻雜類型非晶硅層；

位于所述第二摻雜類型非晶硅層表面的透明導(dǎo)電層；

位于所述透明導(dǎo)電層表面的第一電極；

位于所述基片下表面的第二電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述基片為P型單晶硅片，所述第一應(yīng)力為壓應(yīng)力，所述第二摻雜類型非晶硅層為N型層；或者所述基片為N型單晶硅片，所述第一應(yīng)力層具有張應(yīng)力，所述第二摻雜類型非晶硅層為P型層。