[發(fā)明專利]單晶硅太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210529746.2
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN103107237A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 楊瑞鵬;張開軍;付建明;溫顯
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州賽昂電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片為第一類型單晶硅片；

對所述基片的表面進行第二類型摻雜，形成第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層；

在所述第二類型單晶硅層的表面形成第一應力層；

在所述第一應力層表面形成第一電極，在所述第一類型單晶硅層的下表面形成第二電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為P型層，所述第二類型單晶硅層為N型層，所述第一應力層具有張應力。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為N型層，所述第二類型單晶硅層為P型層，所述第一應力層具有壓應力。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述具有張應力的第一應力層的形成方法包括：采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，其中，NH₂和SiH₄作為反應氣體，惰性氣體作為載氣，反應溫度為200℃~500℃，反應壓強為100mTorr~200mTorr，并且提供一個功率為10W～100W，頻率為10MHz~15MHz的射頻功率源。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述具有壓應力的第一應力層的形成方法包括：采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，其中，NH₂和SiH₄作為反應氣體，惰性氣體作為載氣，反應溫度為200℃~500℃，反應壓強為100mTorr~200mTorr，并且提供一個功率為10W～100W，頻率為50KHz~500kHz的低頻功率源。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應力層的形成工藝包括熱化學氣相沉積或等離子體增強化學氣相沉積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一應力層的厚度為0.5nm~100nm，所述第一應力層的應力的數(shù)值范圍為200MPa~1000MPa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括在第一類型單晶硅層的下表面形成第二應力層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括：在第一應力層表面形成抗反射層之后，再在所述抗反射層表面形成第一電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括：在第二類型單晶硅層表面形成抗反射層后，再在所述抗反射層表面形成第一應力層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，第一類型單晶硅層和第二類型單晶硅層中，摻雜離子濃度的范圍為1E10/cm³~1E20/cm³。

13.一種單晶硅太陽能電池，其特征在于，包括：

第一類型單晶硅層和位于所述第一類型單晶硅層上表面的第二類型單晶硅層；

位于所述第二類型單晶硅層的表面的第一應力層；

位于所述第一應力層表面的第一電極；

位于第一類型單晶硅層下表面的第二電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為P型層，所述第二類型單晶硅層為N型層，所述第一應力層具有張應力。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一類型單晶硅層為N型層，所述第二類型單晶硅層為P型層，所述第一應力層具有壓應力。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一應力層包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單晶硅太陽能電池，其特征在于，所述第一應力層的厚度為0.5nm~100nm，所述第一應力層的應力的數(shù)值范圍為200MPa~1000MPa。