[發明專利]一種用于GOA電路的驅動電壓補償系統無效
| 申請號: | 201210529540.X | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN102982778A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 彭少朋;林佳麗 | 申請(專利權)人: | 友達光電(廈門)有限公司;友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 goa 電路 驅動 電壓 補償 系統 | ||
技術領域
本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD,Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display)的GOA(Gate?driver?On?Array,陣列基板行驅動)電路,尤其涉及一種用于該GOA電路的驅動電壓補償系統。
背景技術
當前,在TFT-LCD中,每個像素具有一個薄膜晶體管(TFT,Thin?Film?Transistor),該薄膜晶體管的柵極電性連接至水平方向的掃描線,漏極電性連接至垂直方向的數據線,而源極電性連接至一像素電極。若在水平方向的某一條掃描線施加足夠的正電壓,會使得該條掃描線上的所有TFT打開,此時該條掃描線對應的像素電極會與垂直方向的數據線連接,而將數據線的視訊信號電壓寫入像素,從而控制不同液晶的透光度進而達到控制色彩的效果。
在現有技術中,該驅動電路主要是由液晶面板外黏接IC(Integrated?Circuit,集成電路)來完成。相比之下,GOA技術(Gate?driver?On?Array,陣列基板行驅動)是直接將薄膜晶體管的柵極驅動電路制作在陣列基板上,以代替由外接硅芯片制作的驅動芯片的一種技術。由于GOA電路可直接制作于面板周圍,簡化了制程工藝,而且還可降低產品成本,提高TFT-LCD面板的集成度,使面板趨向于更加薄型化。
然而,在GOA電路的實際操作過程中,經常會遇到低溫條件,電子遷移率在低溫下變小,流經薄膜晶體管的電流較低,致使該薄膜晶體管的充電能力下降。為了解決這一問題,現有技術的一種解決方式是在于,系統外接熱敏電阻等溫度傳感器,利用溫度傳感器來檢測環境溫度,并且在環境溫度過低時自動將GOA電路的驅動電壓抬高,提升薄膜晶體管的充電能力,但是,此方案需外接一個溫度傳感組件,既增加了成本,又占用了體積。此外,溫度傳感組件暴露于面板外,易遭受外界環境影響,造成傳感器靈敏度降低。再者,溫度傳感組件檢測的是環境溫度,并不能準確反映玻璃基板內的GOA電路的TFT的實際溫度。
有鑒于此,如何設計一種用于GOA電路的溫度檢測方案,通過準確地檢測薄膜晶體管的實際溫度,來提供驅動電壓補償,進而保證薄膜晶體管的充電能力不會因溫度變化而降低,是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。
發明內容
針對現有技術中的用于GOA電路的溫度檢測方案所存在的上述缺陷,本發明提供了一種新穎的、用于GOA電路的驅動電壓補償系統。
依據本發明的一個方面,提供了一種用于GOA電路的驅動電壓補償系統,該GOA電路位于一陣列基板內,其中,該驅動電壓補償系統包括:
一溫度傳感器,設置于所述GOA電路的下方,用以檢測所述陣列基板的實時溫度,并且將所述實時溫度轉化為一電壓信號;以及
一驅動電路,用以接收所述電壓信號,并將所述電壓信號與一參考電壓進行比較,根據比較結果輸出一控制信號,藉由所述控制信號來調整所述GOA電路的驅動電壓。
優選地,該溫度傳感器包括:一第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的柵極電性連接至所述GOA電路的當前驅動電壓,所述第一薄膜晶體管的漏極電性連接至一電源電壓;以及一電阻,所述電阻的第一端電性連接至所述第一薄膜晶體管的源極,所述電阻的第二端電性連接至接地端,其中所述電壓信號對應于所述電阻兩端的電壓。
優選地,該驅動電路包括:一比較器,其第一輸入端電性連接至所述電阻的第一端,其第二輸入端電性連接至所述參考電壓,其輸出端用以輸出所述控制信號;一第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管的柵極連接至所述比較器的輸出端,所述第二薄膜晶體管的源極電性連接至一第一閾值電壓;以及一第三薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管的柵極連接至所述比較器的輸出端,所述第三薄膜晶體管的源極電性連接至一第二閾值電壓,所述第二閾值電壓小于所述第一閾值電壓,其中,藉由該控制信號將該GOA電路的目標驅動電壓調整為該第一閾值電壓或該第二閾值電壓。
在其中的一實施例中,當所述電壓信號大于所述參考電壓時,將所述GOA電路的目標驅動電壓調整為所述第二閾值電壓。
在其中的一實施例中,當所述電壓信號小于所述參考電壓時,將所述GOA電路的目標驅動電壓調整為所述第一閾值電壓。
優選地,電阻經由氧化銦錫金屬線電性連接至所述第一薄膜晶體管的源極。更優選地,電阻的阻值為10kΩ,且所述氧化銦錫金屬線的長寬比為100。此外,該氧化銦錫金屬線的線寬為3um,長度為300um,并且采用波浪形方式進行走線。
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