[發明專利]晶圓中缺陷定位的方法

在審

• 申請號: 201210528649.1
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN103871918A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 齊瑞娟;段淑卿;王小懿;曹珊珊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種晶圓中缺陷定位的方法，包括：

步驟A：在所述晶圓上形成第一標記，并通過缺陷掃描機臺掃描晶圓獲得晶圓缺陷掃描圖像，其中，所述第一標記在晶圓缺陷掃描圖像以及由樣品制作機臺顯示的晶圓形貌圖像中可見；

步驟B：在所述樣品制作機臺中根據所述第一標記對晶圓中的缺陷進行定位。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一標記為在預定的時間段內消退的臨時標記。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟A中，通過使用電子束對所述晶圓的預定位置進行第一預定時間的掃描，以在所述晶圓上形成第一標記。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一標記的個數為至少一個。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述形成第一標記的電子束能量為500ev至2kev，電流為40nA至200nA，所述第一預定時間大于等于120秒。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一標記包含用于體現位置信息和/或方向信息的圖形，且在步驟B中利用所述第一標記的圖形中所體現的位置信息和/或方向信息實現定位，并通過定位得到缺陷的具體位置和/或缺陷所在的位置范圍。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟B中進一步包括在所述樣品制作機臺中根據所述第一標記形成永久性的第二標記，根據第二標記對晶圓中的缺陷進行定位。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述樣品制作機臺為聚焦離子束機臺，通過所述聚焦離子束機臺利用離子束對晶圓進行刻蝕以形成所述第二標記。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二標記包含用于體現位置信息和/或方向信息的圖形，且在步驟B中利用所述第二標記的圖形中所體現的位置信息和/或方向信息實現定位，并通過定位得到缺陷的具體位置和/或缺陷所在的位置范圍。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成第二標記的離子束能量為30kv，電流為10pA至30pA。