[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210528046.1
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN103378164A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉容雨;裵相絢;金主延
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強(qiáng)

1.一種陣列基板，包括：

基板，具有像素區(qū)域；

柵極線，位于基板上；

柵極電極，位于基板上且與柵極線相連；

柵極絕緣層，位于柵極線和柵極電極上；

數(shù)據(jù)線，位于柵極絕緣層上且與柵極線相交以界定像素區(qū)域；

源極電極和漏極電極，位于柵極絕緣層上且與柵極電極相對應(yīng)，所述源極電極與數(shù)據(jù)線連接，所述漏極電極與源極電極間隔開；和

氧化物半導(dǎo)體層，位于源極和漏極電極的頂部上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，還包括:

第一和第二粘接層，分別位于氧化物半導(dǎo)體層與源極和漏極電極之間，

其中所述源極和漏極電極的頂層包括銅和銅合金中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其中所述源極和漏極電極中的每一個(gè)包括第一層及第一層上的第二層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其中所述源極和漏極電極之間的溝道區(qū)域不包括溝道區(qū)域頂部上的蝕刻阻止層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的基板，其中所述源極和漏極電極的底層包括鉬和鉬鈦合金中的一種，頂層是銅或銅合金。

6.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其中所述第一和第二粘接層包括位于源極和漏極電極的頂層上的經(jīng)過氮?dú)獾入x子體處理的粘接層。

7.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其中所述第一和第二粘接層中的每一個(gè)包括氮化銅。

8.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其中所述第一和第二粘接層中的每一個(gè)包括氧化銦錫和氧化銦鋅中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其中所述第一粘接層部分覆蓋源極電極的頂層，所述第二粘接層部分覆蓋漏極電極的頂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其中所述氧化物半導(dǎo)體層部分覆蓋源極和漏極電極，使得第一和第二粘接層的上表面被氧化物半導(dǎo)體層完全覆蓋。

11.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其中所述第一粘接層完全覆蓋源極電極的頂層的上表面，所述第二粘接層完全覆蓋漏極電極的頂層的上表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，還包括：

位于數(shù)據(jù)線上的第三粘接層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括氧化銦鎵鋅、氧化鋅錫和氧化鋅銦中的一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，還包括：

鈍化層，位于氧化物半導(dǎo)體層上且包括暴露漏極電極的漏極接觸孔；和

像素電極，位于鈍化層上和像素區(qū)域中，所述像素電極通過漏極接觸孔接觸漏極電極。

15.一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

在具有像素區(qū)域的基板上形成柵極線；

在基板上形成與柵極線相連的柵極電極；

在柵極線和柵極電極上形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成與柵極線相交以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；

在柵極絕緣層上形成與柵極電極相對應(yīng)的源極電極和漏極電極，所述源極電極與數(shù)據(jù)線相連，所述漏極電極與源極電極間隔開；以及

在源極和漏極電極的頂部上形成氧化物半導(dǎo)體層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括：

分別在氧化物半導(dǎo)體層與源極和漏極電極之間形成第一和第二粘接層，

其中所述源極和漏極電極的頂層包括銅和銅合金中的一種。

17.根據(jù)權(quán)利要求15的基板，還包括：

在不使用溝道區(qū)域頂部上的蝕刻阻止層的情況下，在源極和漏極電極之間形成溝道區(qū)域。

18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中通過在源極和漏極的頂層上進(jìn)行氮?dú)獾入x子體處理來形成所述第一和第二粘接層。

19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體層部分覆蓋源極和漏極電極，使得第一和第二粘附層的上表面被氧化物半導(dǎo)體層完全覆蓋。

20.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括：

在氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層，所述鈍化層包括暴露漏極電極的漏極接觸孔；

在鈍化層上和像素區(qū)域中形成像素電極，所述像素電極通過漏極接觸孔接觸漏極電極。