[發(fā)明專利]一種TiB2/Si-Al電子封裝復(fù)合材料及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210527903.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103045926A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊濱;盧毅;張磊;王西濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C22C29/18 | 分類號(hào)： | C22C29/18;C22C1/02 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 tib sub si al 電子 封裝 復(fù)合材料 制備 方法 | ||
1.一種TiB2/Si-Al電子封裝復(fù)合材料，其特征在于：該復(fù)合材料的化學(xué)組成以重量百分比計(jì)為xTiB2/ySi-Al，其中1.0≤x≤2.0,60≤y≤70。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TiB2/Si-Al電子封裝復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：工藝過(guò)程包括配制混合鹽、熔煉（60~70）wt%Si-Al合金、熔鑄-原位合成TiB2顆粒、噴射沉積成形TiB2/Si-Al復(fù)合材料和TiB2/Si-Al復(fù)合材料熱等靜壓五個(gè)階段；具體制備步驟為：
a、配制混合鹽：按原子計(jì)量比Ti：B=1：2.2配比K2TiF6和KBF4混合鹽，混勻并經(jīng)300℃烘干；
b、熔煉（60~70）wt%Si-Al合金：將占（60~70）wt%的純Si，其余為工業(yè)純Al的原材料放入中頻感應(yīng)電爐中升溫熔化；
c、熔鑄-原位合成TiB2顆粒：將步驟b所述（60~70）wt%Si-Al合金熔體加熱至熔點(diǎn)以上50～150℃保溫5-15分鐘使其均勻化；然后，迅速加入0.8--2.5%步驟a所述的K2TiF6和KBF4混合鹽，用石墨攪拌器充分?jǐn)嚢?～15分鐘后再保溫15分鐘，扒除表面殘?jiān)?/p>
d、噴射沉積成形TiB2/Si-Al復(fù)合材料：利用噴射沉積成形技術(shù)制備TiB2/Si-Al復(fù)合材料，噴射成形工藝參數(shù)選擇如下：霧化氣體：氮?dú)饣驓鍤?，純度分別為：99.8和99.9%；霧化壓力：0.6～0.8MPa；沉積距離：610～650mm；導(dǎo)流管直徑：4.0～4.3mm；
e、TiB2/Si-Al復(fù)合材料熱等靜壓：噴射成形TiB2/Si-Al復(fù)合材料的致密化在QIH-15型熱等靜壓試驗(yàn)機(jī)上進(jìn)行；熱等靜壓工藝參數(shù)選擇如下：壓強(qiáng)150～170MPa，溫度580～620℃，保壓4h，工作介質(zhì)為氬氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的所述的一種TiB2/Si-Al電子封裝復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述K2TiF6和KBF4的純度均高于97wt%；純Si和工業(yè)純Al均為塊狀物，純度分別為98wt%和99.7wt%，塊度為4～6mm。
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