[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210526544.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN103018989A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金熙哲;劉圣烈;崔承鎮(zhèn);宋泳錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示器（Liquid?Crystal?Display，LCD）具有功耗低、輻射低及制造成本低等特點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、電視、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等數(shù)字電子設(shè)備。其中，薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?LiquidCrystal?Display，TFT-LCD）是一種主要的平板顯示裝置（FPD，F(xiàn)lat?PanelDisplay）。

TFT-LCD的陣列基板中的每個(gè)像素點(diǎn)都是通過集成在該陣列基板上且與像素點(diǎn)連接的TFT元件來驅(qū)動(dòng)和控制。傳統(tǒng)的TFT元件的結(jié)構(gòu)，如圖1及圖2所示，包括：位于襯底基板10上的柵極11和柵線111，位于柵極11和柵線111上的柵絕緣層12，位于絕緣層12上的有源層13，位于有源層13上的源極14、源極線141及漏極15，位于源極14、源極線141及漏極15上的保護(hù)層16，以及位于保護(hù)層16上的透明電極17。

由于液晶本身不會(huì)發(fā)光，而是依靠背光模組將光線射入液晶顯示面板，以顯示圖像。目前，TFT中的有源層一般采用非晶硅（amorphous?silicon，α-Si）或多晶硅（polycrystalline?silicon，p-Si）等半導(dǎo)體材料，由于半導(dǎo)體材料對(duì)光線敏感，因此，光線的照射會(huì)影響有源層的性能，會(huì)產(chǎn)生光照漏電流，從而影響TFT元件的性能。為了保護(hù)有源層，一般需要將TFT的柵極11的尺寸制作得足夠大，如圖2所示，柵極11的線寬必須不小于有源層13的線寬，從而能夠利用柵極11遮擋從背光模組發(fā)出的光線，使有源層13不會(huì)暴露在從背光模組發(fā)出的光線中，但這樣會(huì)造成柵極11和源極14、漏極15之間的交疊面積變大。

柵極與源極之間的交疊面積變大，導(dǎo)致TFT極間電容C_gs的值增大；柵極和漏極之間的交疊面積變大，導(dǎo)致TFT極間電容C_gd的值增大，而TFT極間電容C_gs和C_gd的值增大，導(dǎo)致饋入（Feed?through）電壓ΔVp的值增大，從而使TFT-LCD的畫面等級(jí)（screen?grade）降低，從而會(huì)導(dǎo)致難以驅(qū)動(dòng)陣列基板中的各像素點(diǎn)。

綜上所述，現(xiàn)有的陣列基板中，由于柵極的尺寸較大，導(dǎo)致TFT極間電容C_gs和C_gd的值增大，導(dǎo)致饋入（Feed?through）電壓ΔVp的值增大，從而使TFT-LCD的畫面等級(jí)（screen?grade）降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制造方法及液晶顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于柵極的尺寸較大，導(dǎo)致TFT極間電容C_gs和C_gd的值增大，導(dǎo)致饋入電壓ΔVp的值增大的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括設(shè)置于襯底基板上的薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管連接的柵線，以及位于所述襯底基板與所述薄膜晶體管的有源層之間的遮光層，所述遮光層用于遮擋射入有源層中的光線；

其中，所述柵線中作為薄膜晶體管的柵極的線寬小于所述柵線的線寬。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管的柵極的線寬小于所述有源層的線寬。

優(yōu)選的，所述遮光層為非透明導(dǎo)電材料，所述陣列基板還包括：位于所述遮光層上的絕緣層。

優(yōu)選的，所述遮光層設(shè)置于所述襯底基板上，且所述遮光層與所述有源層之間包括所述薄膜晶體管的柵極及位于所述柵極上的柵絕緣層。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括像素電極，其中，所述遮光層與所述陣列基板的像素電極位于同一層，且所述遮光層與所述像素電極采用相同的材料。

優(yōu)選的，所述遮光層與所述像素電極設(shè)置于所述襯底基板上，且所述遮光層與所述有源層之間包括所述薄膜晶體管的柵極及位于所述柵極上的柵絕緣層。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管的保護(hù)層上的公共電極，其中，

所述公共電極包括多個(gè)設(shè)置于所述保護(hù)層上且相互平行的條狀電極；

所述像素電極包括多個(gè)設(shè)置于所述襯底基板上且相互平行的條狀電極；

且所述像素電極的任一條狀電極與所述公共電極的任一條狀電極不重疊。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示裝置，包括上述任一陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成的遮光層；