[發明專利]半導體發光裝置及形成該裝置的方法

無效

• 申請號: 201210525834.5
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103151438A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 宇野澤圭佑
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 韓宏;陳松濤

1.一種半導體發光裝置，包括：

半導體層，包括第一主表面、形成在所述第一主表面相對側上的第二主表面，以及發光層；

設置在所述第二主表面上的p電極；

設置在所述第二主表面上并由所述p電極包圍的n電極；以及

絕緣層，設置在所述半導體層的側表面和所述半導體層的所述第二主表面上以包圍所述p電極和所述n電極。

2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，

所述n電極包括電連接到n金屬柱的第一部分和與所述第一部分連續設置以分散流經所述n電極的電流的第二部分。

3.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其中，

多個所述n電極設置在所述第二主表面上；從最外面的n電極的中心軸到所述p電極的縱向邊緣的距離是相鄰n電極的中心軸之間的距離的一半。

4.根據權利要求3所述的半導體發光裝置，其中，

所述n電極還包括：

第一n電極，具有電連接到所述n金屬柱的第一部分以及與所述第一部分連續設置的第二部分；以及

第二n電極，與所述第一n電極分離設置并具有電連接到所述n金屬柱的部分。

5.根據權利要求4所述的半導體發光裝置，其中，

所述第二n電極與所述第一n電極由具有半徑的圓分離開，所述半徑等于從所述第二n電極的中心軸到所述p電極的縱向邊緣的距離。

6.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其中，

所述第二部分的形狀具有縱向邊緣和橫向邊緣，并且

所述橫向邊緣的平均長度是所述第一部分的一個邊緣的長度的30％或更多或所述第一部分的直徑的30％或更多。

7.根據權利要求6所述的半導體發光裝置，其中，

所述橫向邊緣的最大長度是所述第一部分的一個邊緣的長度的60％或更多或所述第一部分的直徑的60％或更多。

8.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其中，

所述p電極的面積大于所述n電極的面積。

9.一種形成半導體發光裝置的方法，所述方法包括：

形成半導體層，所述半導體層包括第一主表面、所述第一主表面相對側的第二主表面、以及發光層；

在所述第二主表面上形成p電極；

在所述第二主表面上形成由所述p電極包圍的n電極；

在所述半導體層的側表面和所述半導體層的所述第二主表面上形成絕緣層，以包圍所述p電極和所述n電極。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，

所述n電極包括電連接到n金屬柱的第一部分和與所述第一部分連續設置以分散流經所述n電極的電流的第二部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，

將多個所述n電極形成在所述第二主表面上；并且從最外面的n電極的中心軸到所述p電極的縱向邊緣的距離是相鄰n電極的中心軸之間的距離的一半。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，

所述n電極還包括：

第一n電極，具有電連接到所述n金屬柱的第一部分以及與所述第一部分連續設置的第二部分；以及

第二n電極，與所述第一n電極分離設置并具有電連接到所述n金屬柱的部分。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，

所述第二n電極與所述第一n電極由具有半徑的圓分離開，所述半徑等于從所述第二n電極的中心軸到所述p電極的縱向邊緣的距離。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，

所述第二部分的形狀具有縱向邊緣和橫向邊緣，并且

所述橫向邊緣的平均長度是所述第一部分的一個邊緣的長度的30％或更多或所述第一部分的直徑的30％或更多。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，

所述橫向邊緣的最大長度是所述第一部分的一個邊緣的長度的60％或更多或所述第一部分的直徑的60％或更多。

16.根據權利要求9所述的方法，其中，

所述p電極的面積大于所述n電極的面積。