[發明專利]激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝

有效

• 申請號: 201210525427.4
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN102969401A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 梁興芳;馮強;王步峰
• 申請（專利權）人: 潤峰電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B23K26/36
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 楊琪

1.激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝，其特征是，包括步驟如下：制絨、擴散，用光纖激光對擴散后的硅片表面進行劃線刻槽實現PN隔離，清洗去除機械損傷層和擴散遺留的磷硅玻璃，沉積氮化硅，然后絲網印刷燒結。

2.根據權利要求1所述的激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝，其特征是，所述的光纖激光使用波長為1064nm、頻率為10KHz的光纖激光器。

3.根據權利要求1所述的激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝，其特征是，所述的光纖激光以100~140mm/s的刻線速率圍繞擴散后的硅片進行邊緣刻槽，刻槽的位置離硅片的邊緣距離為0.5mm，刻槽的深度為15~20μ。

4.根據權利要求1所述的激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝，其特征是，所述的清洗使用質量濃度為9%~11%的氫氟酸。

5.根據權利要求1所述的激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝，其特征是，所述的沉積氮化硅的工藝條件：壓強為1500Mtor，腔內中心溫度為450°，沉積的氮化硅膜由雙層膜組成，第一層NH₃的通量為6.320slm、SiH₄的通量為1405sccm；第二層NH₃的通量為7.292slm、SiH₄的通量為483sccm。

6.根據權利要求1所述的激光隔離高效晶體硅太陽電池的生產工藝，其特征是，所述的絲網印刷燒結的峰值溫度為723°，燒結區的實際燒結時間為1.8~2.2S。