[發明專利]一種高光效白光LED倒裝芯片

有效

• 申請號: 201210525411.3
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN103050611A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 俞國宏
• 申請（專利權）人: 俞國宏
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明申請為申請日2012年02月1日，申請號為：201210022508.2，名稱為“一種高光效白光LED倒裝芯片”的發明專利申請的分案申請。本發明涉及一種LED芯片，尤其是涉及一種高光效白光LED倒裝芯片。

背景技術

使用藍寶石襯底其優點是化學穩定性好，不吸收可見光、價格適中、制造技術相對成熟，因此成為用于GaN生長最普遍的襯底。在LED的封裝過程中，都把藍寶石襯底面直接固定在散熱板上。在LED的工作過程中，其發光區是器件發熱的根源。由于藍寶石襯底本身是一種絕緣體材料，且導熱性能比GaN材料較差，所以對這種正裝的LED器件其工作電流都有一定的限制，以確保LED的發光效率和工作壽命。為改善器件的散熱性能，人們設計了一種LED芯片結構，即倒裝結構的LED芯片。

另外，傳統的藍寶石襯底的GaN芯片的結構，電極剛好位于芯片的出光面。由于p-GaN層有限的電導率，因此要求在?p-GaN層表面沉淀一層用于電流擴散的金屬層，這個電流擴散層由?Ni和?Au組成，會吸收部分光，從而降低出光效率。如果將芯片倒裝，那么電流擴散層?(金屬反射層)就成為光的反射層，這樣光可通過藍寶石襯底發射出去，從而提高出光效率。

自從提出芯片的倒裝設計之后，人們針對其可行性進行了大量的研究和探索。由于LED芯片設計的局限性，封裝良率一直很低，原因如下：第一、N型電極區域相對小，很難與PCB板的相應區域對位；第二、N型電極位置比P型電極位置高很多，很容易造成虛焊、脫焊情形；第三、為制作N型電極，往往要人為地去掉很大一部分有源區，這樣大大地減少了器件的發光面積，直接影響了LED發光效率。

再者，雖然LED的發光效率已經超過日光燈和白熾燈，但商業化LED發光效率還是低于鈉燈(150lm/W)。那么，哪些因素影響LED的發光效率呢？就白光LED來說，其封裝成品發光效率是由內量子效率,?電注入效率,?提取效率和封裝效率的乘積決定的。??????如圖34所示，利用MOCVD、VPE、MBE或LPE技術在襯底30上生長器件（如LED、LD等）結構，從上至下依次分別為襯底30、N型材料層31、發光區32、P型材料層33、P型電極34、P級焊錫層35、PCB板36以及散熱板40。其中N型材料層31與散熱板40之間還依次連接N型電極37、N級焊錫層38和PCB板39。

該傳統的LED倒裝芯片存在的技術缺陷如下：

1、在水平方向N型電極37所處位置與P型電極34相距較遠，N型電極37對其下方的PCB板39的位置設計有苛刻的要求，影響到封裝優良率。

2、N型電極37位置比P型電極34位置高很多，導致其與下方的PCB板39之間的間隙較大，在焊錫時很容易使得N級焊錫層38過長而造成虛焊或脫焊的發生。

3、為了使得N型電極37與其下方的PCB板39可以進行焊接，需要去掉很大一部分發光區，影響到LED芯片的發光效率。

4、電極區域不夠大，影響注入電流效率進而影響到LED芯片的發光效率。

5、P型電極與N型電極位在芯片兩側，造成電子流動路徑不一，如圖35，形成電阻不均勻，芯片發光區發光不均勻，影響到LED芯片的發光效率。

發明內容

本發明設計了一種高光效白光LED倒裝芯片，其解決了以下技術問題是：

（1）N型電極區和P型電極區相對小，很難與PCB板的相應區域對位，會影響到封裝效果和LED產品的優良率；

（2）N型電極位置比P型電極位置高很多，很容易造成虛焊、脫焊情形；

（3）為制作N型電極，往往要人為地去掉很大一部分有源區，這樣大大地減少了器件的發光面積，直接影響了LED發光效率；

（4）P型電極及N型電極區域不夠大，影響注入電流，直接影響了LED芯片發光效率；

（5）P型電極與N型電極位在芯片兩側，造成電子流動路徑不一，形成電阻不均勻，芯片發光區發光不均勻，影響到LED芯片的發光效率。

為了解決上述存在的技術問題，本發明采用了以下方案：?