[發(fā)明專利]一種具提升光明滅比的整合式檢光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210524787.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103023576A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林淑娟;李三良;柯孫堅(jiān);黃英勛;林恭政 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中華電信股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B10/67 | 分類號(hào): | H04B10/67 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 王茹;曾旻輝 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃園縣楊梅*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提升 明滅 整合 式檢光 裝置 | ||
1.一種具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,包括:
固定光纖金屬基座,所述固定光纖金屬基座包括左窗口與右窗口;其中,所述左窗口與所述右窗口內(nèi)各有準(zhǔn)直鏡面;
析光器基座,所述析光器基座由下往上套入所述固定光纖金屬基座,并有一圓孔;及
法布里-比洛析光器,所述法布里-比洛析光器連接在所述圓孔上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述左窗口與所述右窗口提供光纖直接插入對(duì)準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述析光器基座底座具有螺紋并以螺絲轉(zhuǎn)軸控制。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述螺絲轉(zhuǎn)軸通過旋轉(zhuǎn)控制左右入射光角度、中心波長(zhǎng)位置、析光器帶寬。
5.一種具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,包括:
TO-can檢光組件,所述To-can檢光組件底部有三支接腳,頂部通過中空座體與析光載具底部連接,形成中空容置室;所述析光載具頂部連接中空通道,所述中空通道另一端連接光纖蕊心開口,且所述中空通道內(nèi)部為陶瓷套筒;及
法布里-比洛析光器,所述法布里-比洛析光器連接所述析光載具底部,在所述中空容置室和所述中空通道之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述法布里-比洛析光器的材質(zhì),為包括二氧化硅的材質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,所述法布里-比洛析光器的厚度為0.1~0.3mm。
8.一種具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,包括:
檢光組件芯片,所述檢光元芯片焊接在金屬基座上;所述金屬基座具有四邊支架,并連接析光器置具;所述析光器置具連接加熱器;及
法布里-比洛析光器,所述法布里-比洛析光器固定在所述析光器置具。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,所述加熱器通過電流注入,控制析光器的操作溫度。
10.一種具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,包括:
檢光組件芯片,所述檢光元芯片焊接在金屬基座上;所述金屬基座具四邊支架,連接雙層析光器置具;
雙層析光器置具,所述雙層析光器置具層間以數(shù)個(gè)支柱連接;及
兩個(gè)法布里-比洛析光器,所述兩個(gè)法布里-比洛析光器以所述雙層析光器置具的支柱相間隔,行成一共振空間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,所述支柱為壓電材料支柱。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述兩個(gè)法布里-比洛析光器通過電壓控制距離、波長(zhǎng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述法布里-比洛析光器的基板為使用二氧化硅材料經(jīng)光學(xué)薄膜鍍膜制成的基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述法布里-比洛析光器為光纖光柵、薄膜濾波片。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具提升光明滅比的整合式檢光裝置,其特征在于,其中所述法布里-比洛析光器的帶寬為3dB帶寬,范圍在12G~20GHz之間。
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