[發明專利]配線形成方法、配線形成用蝕刻液

有效

• 申請號: 201210524348.1
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103173226A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 齊藤知志;出口友香里;佐藤未菜;石田輝和
• 申請（專利權）人: MEC股份有限公司
• 主分類號: C09K13/06
• 分類號: C09K13/06;G06F3/041
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;苗堃

1.一種配線形成方法，通過實施使蝕刻液與在表面形成有含銅層的導體圖案的金屬氧化物層的未層疊有所述導體圖案的部分進行接觸，蝕刻所述部分的金屬氧化物層的蝕刻工序，從而形成含有經圖案化的金屬氧化物層和所述銅層的配線，其中，

所述金屬氧化物層含有選自鋅、錫、鋁、銦以及鎵中的一種以上的金屬的氧化物，

所述蝕刻液是含有硫羰基化合物和鹵化物離子的酸性水溶液。

2.如權利要求1所述的配線形成方法，其中，所述金屬的氧化物為結晶物質。

3.如權利要求1或2所述的配線形成方法，其中，所述蝕刻液的所述硫羰基化合物的濃度為0.05質量％~50質量％。

4.如權利要求1或2所述的配線形成方法，其中，所述蝕刻液的所述鹵化物離子的濃度為1質量％~35質量％。

5.如權利要求1或2所述的配線形成方法，其中，所述蝕刻液的所述鹵化物離子的濃度為20質量％以上。

6.如權利要求1或2所述的配線形成方法，其中，所述導體圖案進一步含有在所述銅層的與所述金屬氧化物層側相反側的面設置的蓋金屬層，

所述蓋金屬層含有選自鋁、鈦、鉻、鈷、鎳、鋅、鉬、銀以及這些金屬與銅的合金中的1種以上的金屬。

7.一種蝕刻液，在權利要求1~6中任一項所述的配線形成方法中，蝕刻未層疊有所述導體圖案的部分的金屬氧化物層，

所述蝕刻液是含有硫羰基化合物和鹵化物離子的酸性水溶液。