[發明專利]電容陣列及其制造方法

有效

• 申請號: 201210523871.2
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103178061A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 黃仁瑞;李哲奇;蔡士豎;陳政順;許紹達;賴朝文;謝君毅;林靖凱
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;呂俊清

1.一種電容陣列包含：

多個電容，各電容包含一個電極；以及

一個支撐框架，用于支撐該多個電極，該支撐框架包含對應該多個電極的多個支撐結構，各支撐結構圍繞著對應的電極，又該支撐框架包含摻雜且可氧化材料的氧化物。

2.如權利要求1所述的電容陣列，其中該支撐框架進一步包含摻雜的可氧化材料。

3.如權利要求1所述的電容陣列，其中該支撐框架進一步包含未摻雜的可氧化材料的氧化物。

4.如權利要求1所述的電容陣列，其中該可氧化材料包含多晶硅。

5.如權利要求1所述的電容陣列，其中該電極的高度和該支撐框架的厚度比例介于20：1至8：1的范圍。

6.一種電容陣列包含：

多個電容，各電容包含一個電極；以及

一個支撐框架，用于支撐該多個電極，該支撐框架包含對應該多個電極的多個支撐結構，各個支撐結構圍繞著對應的電極，又該支撐框架包含第一材料和第二材料，其中該第一材料的密度比該第二材料的密度高。

7.如權利要求6所述的電容陣列，其中該支撐框架包含將該支撐結構連結在一起的多個接合部分，其中該接合部分包含第二材料。

8.如權利要求6所述的電容陣列，其中該第一材料包含未摻雜的多晶硅氧化物。

9.如權利要求6所述的電容陣列，其中該第二材料包含摻雜的多晶硅氧化物。

10.如權利要求6所述的電容陣列，其中該電極的高度和該支撐框架的厚度比例介于20：1至8：1的范圍。

11.一種制造電容陣列的方法，包含以下的步驟：

提供一基板，該基板包含由第一材料組成的第一層和一第二材料層，其中該層的第二材料在該第一材料層之下，且該第一材料的密度比該第二材料的密度高；

形成多個開孔于由該第一材料所組成的第一層；

在所述多個開孔里形成內襯；

加深所述多個開孔到至少使一部分的該第二材料層暴露出來；

進行對暴露的第二材料層氧化工藝并且形成一支撐框架；

進一步加深開孔；以及

在開孔中形成多個電極。

12.如權利要求11所述的制造電容陣列的方法，其中加深所述多個開孔到至少使一部分的該第二材料層暴露出來的步驟包含加深所述多個開孔并穿透該第二材料層的步驟。

13.如權利要求11所述的制造電容陣列的方法，其中形成多個開孔于由該第一材料所組成的第一層步驟包含將所述多個開孔深入第二材料層的步驟。

14.如權利要求11所述的制造電容陣列的方法，其中由該第一材料所組成之該第一層的厚度和第二材料層的厚度比例介于10：1至4：1之范圍。

15.如權利要求11所述之制造電容陣列的方法，其中該基板還包含由該第一材料所組成的一第二層，其中該第二材料層介于由該第一材料所形成的該第一層和該第二層之間。

16.如權利要求11所述的制造電容陣列的方法，其中該第一材料包含多晶硅。

17.如權利要求11所述的制造電容陣列的方法，其中該第二材料包含摻雜的多晶硅。