[發明專利]一種熒光材料及其制備方法

無效

• 申請號: 201210522227.3
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103849382A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 冉紫明
• 申請（專利權）人: 冉紫明
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及發光材料技術領域，尤其涉及一種熒光材料及其制備方法。

背景技術

顯示和照明技術的發展給人類的生活帶來巨大的改變，尤其是白光LED的出現，是LED從標識功能向照明功能跨出的實質性一步。白光LED最接近日光，更能較好反映照射物體的真實顏色。由于它還具有無污染、長壽命、耐震動和抗沖擊的鮮明特點，從技術角度看，白光LED無疑是LED最尖端的技術，將成為21世紀的新一代光源——第四代電光源，白光LED的應用市場將非常廣泛。?

目前在現有技術領域，實現照明和顯示的方式，以通過紫外芯片或藍光芯片激發熒光材料的方法或者低壓汞放電產生紫外線激發熒光材料的方法為主。但是，由于受到熒光材料的限制，這些方法都存在一定的局限性。?

硅酸鹽熒光粉的發展源自1940年初期美國通用的硅酸鋅錳等一系列熒光體的發展，至1998年(Ba,?Si)2SiO₄:Eu的發現之后，硅酸鹽熒光粉在白光LED的應用進展神速。如今已有多種可用于白光LED的材料，目前主要硅酸鹽熒光粉的重要專利仍然為豐田合成、日亞化學、歐司朗光電半導體等公司所用。但這些硅酸鹽熒光粉大多發藍綠、紅、橘紅、綠、藍光，很少有發單一黃色的光。

發明內容

因此，本發明的目的是提供了一種熒光材料，不僅導電性良好，而且發光單一黃光，具有較好的發光強度、發光均勻度。

另外，本發明還提供了一種工藝簡單、成本低廉的熒光材料晶體材料的制備方法；

所述熒光材料的化學組成表示式為：Ba_0.9693Si₂O₅:Pb_0.0007,?Cu_0.03，其具有2θ在約4.68、7.08、9.42、10.84、13.48、14.18、15.18、16.60、17.54、18.04、18.84、20.40、21.82、22.40、23.20、24.34、24.86、27.40、29.30處的X射線粉末衍射圖。

依據本發明的第二方面，提供一種熒光材料晶體材料的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：按所述熒光材料的計量比稱取硝酸鋇或碳酸鋇，稱取正硅酸乙酯，稱取氧化鉛或碳酸鉛，稱取氧化銅或碳酸銅，將上述原料溶于硝酸中，攪拌，滴加過量草酸溶液，攪拌使沉淀完全，然后調節溶液的pH到5～6，攪拌，陳化，過濾，洗滌過濾產物，干燥得到熒光材料前驅體；

步驟2：將步驟1所得前驅體裝入坩鍋，在爐膛中中通入還原氣氛或者裝入碳粉，然后升溫至1200～1500℃，保溫2～3小時，然后在1小時內急速冷卻，得到權利要求1所述熒光材料晶體。

在本發明所述的熒光材料晶體材料的制備方法中，所述步驟2中的還原氣氛是指由體積比為95∶5的氮氣和氫氣混合氣體、一氧化碳氣體、氫氣形成的氣氛。

本發明的熒光材料晶體材料的制備方法，工藝簡單、成本低廉，制得的述殼結構熒光材料不引入其它雜質，產品質量高，可廣泛用于發光材料的制造。

附圖說明

圖1是本發明實施例1制備的Ba_0.9693Si₂O₅:Pb_0.0007,?Cu_0.03熒光材料晶體材料(以1表示)與商購買Ca₃(Mg,?Sc)₂Si₃O₁₂:Ce?(以2表示)的發射光譜對比圖。

其中，發射光譜圖是經200~230nm光激發得到。

圖2是實施例1熒光材料晶體的特征X射線粉末衍射圖。

具體實施方式

在粉末X?射線衍射(XRD)?中，使用Cu?Kα1?作為X?射線管，在室溫下使用粉末X?射線衍射裝置RINT2200/Ultima+(RIGAKU)?或X'?Pert?Pro?MPD(PANalytical)?在2°至35°的2θ衍射角范圍內進行測量。對于所使用的每個衍射裝置而言，測量條件如下。

衍射裝置：RINT2200/Ultima+(RIGAKU)

管電流：40mA，管電壓：40kV，掃描速度：4°/分鐘

衍射裝置:X'?Pert?Pro?MPD(PANalytical)

管電流：40?mA，管電壓：45kV，掃描速度:40.1°/分鐘

雖然2θ值一般示出約士0.2°的誤差，但可能由于測量條件等引起較大的誤差。