[發(fā)明專利]一種改善各種襯底外延底層長晶質(zhì)量的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210522108.8 | 申請日： | 2012-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN103123947B | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樊邦揚(yáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 鶴山麗得電子實業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 529728 廣東省江*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 各種 襯底 外延 底層 質(zhì)量 方法 | ||
1.一種改善各種襯底外延底層長晶質(zhì)量的方法，包括：高溫烘焙工步、生成緩沖層的工步、生成u型GaN的工步、生成N型GaN層的工步、生成量子阱層的工步、生成P型GaN層的工步以及生成歐姆接觸層的工步，其特征在于：在所述高溫烘焙工步之前，還存在一個預(yù)處理工步；
所述預(yù)處理工步是在MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行的，MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)的溫度為600-800℃，MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)包括TMGa源和NH3，TMGa源流量為50sccm，NH3流量為10000sccm，預(yù)處理的時間為40-100秒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善各種襯底外延底層長晶質(zhì)量的方法，其特征在于：預(yù)處理的處理參與到隨后的高溫氣氛下高溫烘焙對襯底機(jī)械損傷修復(fù)處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善各種襯底外延底層長晶質(zhì)量的方法，其特征在于：預(yù)處理的處理氣體環(huán)境是N2或H2氣氛的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善各種襯底外延底層長晶質(zhì)量的方法，其特征在于：在預(yù)處理之前氮化或取消氮化，不通入其他反應(yīng)性氣體和金屬有機(jī)化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善各種襯底外延底層長晶質(zhì)量的方法，其特征在于：預(yù)處理是生成的孤立微晶而不是薄膜層狀，MO通量要求微量，MO源為TMGa，V族源為氨氣。
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