[發明專利]熒光晶體及使用其的發光裝置

無效

• 申請號: 201210522090.1
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103849379A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 冉紫明
• 申請（專利權）人: 冉紫明
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種熒光材料，特別涉及包括使所述熒光材料的晶體。

背景技術

顯示和照明技術的發展給人類的生活帶來巨大的改變，尤其是白光LED的出現，是LED從標識功能向照明功能跨出的實質性一步。白光LED最接近日光，更能較好反映照射物體的真實顏色。由于它還具有無污染、長壽命、耐震動和抗沖擊的鮮明特點，從技術角度看，白光LED無疑是LED最尖端的技術，將成為21世紀的新一代光源——第四代電光源，白光LED的應用市場將非常廣泛。?

目前在現有技術領域，實現照明和顯示的方式，以通過紫外芯片或藍光芯片激發熒光材料的方法或者低壓汞放電產生紫外線激發熒光粉的方法為主。但是，由于受到熒光材料的限制，這些方法都存在一定的局限性。?

近年來，人們將Sialon結構陶瓷改進為先進的功能陶瓷熒光體。?Sialon結構有a和b相，它們都被發展為先進的熒光體。a-Sialon的組成可表示為M_xSi_12-(m+n)Al_m+nO_nN_16-n。M為Li⁺，Ca²⁺，Eu²⁺，Mg²⁺及半徑較小的三價稀土離子，n≥0。這樣可組成一個大家族。

Ca-a-Sialon:Eu²⁺熒光體的體色和發光性質與Eu²⁺濃度密切相關，是一種高效、新的黃色熒光體。激發光譜呈現兩個峰值分別為~300nm和~400nm相當寬的寬帶。它能被NUV和450nm藍光有效激發。其發射光譜是一個強寬譜帶，它的發射峰Eu²⁺濃度相關，在583~603nm范圍。這類激發和發射光譜是Eu²⁺的4f～7?4f?b?5d?躍遷。熒光體的發光強度隨

Eu²⁺濃度增加而增加，達到0.075mol時最佳，然后發生濃度猝滅，強度下降。?

這種具有不同Eu²⁺濃度的Ca-a-Sialon:Eu黃色熒光體的CIE色坐標值，從x=0.491，y=0.497（Eu²⁺=0.01）可變化到x=0.560，y=0.436（Eu²⁺=0.25）。因此，它可以和其熒光體結合使用。

　　b?–Sialon?:?Eu²⁺熒光體可以被280~480nm光激發，發射綠光。在?303nm，406nm及450nm分別激發得到相同的發射光譜。發射光譜的半高寬為55nm，發射峰為535nm，色坐標?x=0.32，y=0.64，展現優良的色純度特性。

低亮度不僅在例如照明器的光學裝置中是不利的，而且在包括熒光晶體的顯示裝置中也是不利的，因此需要提高亮度。?

通常，在熒光晶體的吸收波長范圍內存在某一趨勢，并根據吸收波長范圍選擇激發熒光晶體的輻射光的波長。然而，在某些顯示裝置中，不僅來自熒光晶體的發射光，而且上述輻射光本身也用于像素的一部分。因此，輻射光的選擇還是受到了限制。?

鑒于上述情況，需要提供一種兼具高色純度及提高的亮度的熒光晶體，所述熒光晶體通過具有所需波長范圍的光輻射而受到激發。

發明內容

因此，本發明的目的是提供了一種熒光材料晶體；

本發明的另一目的是提供了一種使用該熒光材料晶體的發光裝置；

所述熒光材料的化學組成表示式為：Sr_3.97SiO₆:Eu_0.03，該晶體屬于斜方晶系，其空間群為P2₁，a=16.10??，b=8.70??，c=19.05??，β=90.1°，V=2668.33??³。