[發(fā)明專利]利用二端口網(wǎng)絡分析儀提取四端口變壓器模型參數(shù)的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210521426.2
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103852662A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設計）人: 張健;黃景豐
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R27/26
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.利用二端口網(wǎng)絡分析儀提取四端口變壓器模型參數(shù)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）將嵌套組成四端口變壓器的兩個電感分解成初級線圈和次級線圈，初級線圈和次級線圈彼此獨立，用二端口網(wǎng)絡分析儀測試初級線圈兩個端口之間的散射參數(shù)，以及次級線圈兩個端口之間的散射參數(shù)；

2）將四端口變壓器設計成轉(zhuǎn)置變壓器或非轉(zhuǎn)置變壓器，用二端口網(wǎng)絡分析儀測試變壓器未接地的兩個端口之間的散射參數(shù)；

3）由步驟1）得到的測試數(shù)據(jù)提取初級線圈和次級線圈的相關模型參數(shù)；由步驟2）得到的測試數(shù)據(jù)提取初級線圈與次級線圈間的互感和耦合電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3），初級線圈相關模型參數(shù)包括初級線圈兩個端口之間的耦合電容，次級線圈相關模型參數(shù)包括次級線圈兩個端口之間的耦合電容。