[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210521335.9
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN103000627A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張學(xué)輝
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體可以涉及一種陣列基板及其制作方法，和一種顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）因其具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。對于TFT-LCD來說，陣列基板以及制造工藝決定了其產(chǎn)品性能、成品率和價格。

隨著液晶面板向大型化、高精細(xì)化、高頻率以及3D等方向的發(fā)展，業(yè)界需要開發(fā)低電阻的電極材料。由于電極材料電阻的減小，降低了阻抗容抗（RC）延遲，提高了開口率。而且，驅(qū)動方式可由兩側(cè)驅(qū)動變?yōu)閱蝹?cè)驅(qū)動，因此驅(qū)動IC的數(shù)量可減半。

由于金屬銅的電阻僅為2μΩ·cm，因此，其目前已經(jīng)成為電極材料的首選。

但是當(dāng)銅作為電極材料時，存在以下問題：

銅的上表面容易在覆蓋其上的圖層薄膜沉積以及刻蝕工藝中受到損傷，導(dǎo)致像素區(qū)的充電不足和管腳（Pad）區(qū)域與外接電路的連接不良。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，從而在沒有增加工藝步驟地情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。

本發(fā)明提供方案如下：

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：TFT，以及與所述TFT的漏極相連的像素電極，其特征在于，進(jìn)一步包括：

形成于源漏金屬層之上的透明導(dǎo)電層；

形成于透明導(dǎo)電層之上的鈍化層。

優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電層與像素電極同層形成。

優(yōu)選的，所述源漏金屬層包括：

第一緩沖層；

形成于第一緩沖層之上的銅層。

優(yōu)選的，所述緩沖層中至少包括一層金屬、或者合金、或者透明導(dǎo)電薄膜。

優(yōu)選的，所述鈍化層中設(shè)置有過孔。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括：柵極圖形；

所述柵極圖形包括：

第二緩沖層；

形成于第二緩沖層之上的銅層。

本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板制作方法，包括：

形成包括源漏金屬層對應(yīng)的圖形；

在所述源漏金屬層上，形成包括透明導(dǎo)電層對應(yīng)的圖形；

在透明導(dǎo)電層上，形成鈍化層對應(yīng)的圖形。

優(yōu)選的，在所述源漏金屬層上，形成包括透明導(dǎo)電層對應(yīng)的圖形和像素電極的圖形。

優(yōu)選的，形成源漏金屬層對應(yīng)的圖形包括：

形成緩沖層的圖形；

在所述緩沖層上，沉積一層銅，所述緩沖層與所述銅層構(gòu)成所述源漏金屬層。

優(yōu)選的，所述緩沖層中至少包括一層金屬、或者合金、或者透明導(dǎo)電薄膜。

優(yōu)選的，所述方法還包括：

在鈍化層預(yù)設(shè)位置處形成過孔。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述本發(fā)明實施例提供的顯示面板。

從以上所述可以看出，本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導(dǎo)電層，后在透明導(dǎo)電層之上，制備鈍化層及過孔，由于透明導(dǎo)電層具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟的情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖6為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖七；

圖9為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖八。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板中具體可以包括TFT結(jié)構(gòu)，以及與所述TFT的漏極相連的像素電極。

進(jìn)一步，該陣列基板具體還可以包括：

形成于源漏金屬層之上的透明導(dǎo)電層7；

形成于透明導(dǎo)電層7之上的鈍化層8。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在源漏金屬層形成工藝之后，先形成透明導(dǎo)電層7，后在透明導(dǎo)電層7之上，制備鈍化層8，由于透明導(dǎo)電層7具有耐刻蝕，不易損傷，從而在沒有增加陣列基板形成工藝步驟的情況下，解決了源漏金屬層中銅被損傷的問題。

本發(fā)明實施例中，透明導(dǎo)電層7具體可以與像素電極同層形成。