[發(fā)明專利]一種涂層增強C/SiC復(fù)合材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210520942.3 | 申請日： | 2012-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN102964145A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 成來飛;張立同;劉小瀛;解玉鵬;孟志新;陳超 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C04B41/85 | 分類號： | C04B41/85;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 涂層 增強 sic 復(fù)合材料 制備 方法 | ||
1.一種涂層增強C/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟1制備SiC漿料：
步驟a1：以體積分數(shù)為20～30%酒精作為溶液，與SiC濕混球磨30～60min，烘干得到粉體；
步驟b1：將粉體總體積分數(shù)為10～20%，乙醇和丙酮為溶劑體積分數(shù)分別為30～40%和20～30%，磷酸三乙酯為分散劑2～3%，進行混合后球磨3～5h；
步驟c1：再加入聚乙烯醇縮丁醛PVB粘結(jié)劑體積分數(shù)為3～4%，鄰苯二甲酸二辛酯增塑劑體積分數(shù)2～3%，繼續(xù)球磨5～7h；然后真空除氣泡20～30min，制得穩(wěn)定漿料；
步驟2制備涂層增強C/SiC復(fù)合材料：
步驟2a：用碳纖維二維疊層編制預(yù)制體，纖維體積百分數(shù)為30～40%；
步驟2b：以丙稀為源物質(zhì)，氬氣為稀釋氣體，采用化學(xué)氣相浸滲法在碳纖維預(yù)制體表面沉積PyC界面層，沉積溫度為900～1000℃，沉積時間為100～200h；
步驟2c：在溫度1600～1800℃條件下，保溫1～3h進行熱處理；
步驟2d：采用化學(xué)氣相浸滲法沉積SiC基體，沉積條件如下：三氯甲基硅烷為源物質(zhì)，氬氣為稀釋氣體，氫氣為載氣，氫氣和三氯甲基硅烷的摩爾比為10:1，沉積溫度為1000～1100℃，沉積時間320～400h，形成C/SiC復(fù)合材料；
步驟3：在C/SiC復(fù)合材料表面涂覆SiC漿料涂層，采用化學(xué)氣相沉積法在C/SiC復(fù)合材料表面沉積SiC保護層，沉積條件如下：三氯甲基硅烷為源物質(zhì)，氬氣為稀釋氣體，氫氣為載氣，氫氣和三氯甲基硅烷的摩爾比為10:1，沉積溫度為1000～1100℃，沉積時間80～100h，得到涂層增強C/SiC復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述涂層增強C/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述SiC漿料為SiC晶須漿料、SiC顆粒漿料或者SiC晶須和SiC顆粒混合漿料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述涂層增強C/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述SiC晶須和SiC顆粒混合漿料的質(zhì)量比為2:1～1:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述涂層增強C/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述SiC晶須采用平均直徑為0.5μm和平均長度為18μm?SiC晶須。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述涂層增強C/SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述SiC顆粒的平均粒徑為1.5μm?SiC顆粒。
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