[發(fā)明專利]占空比調(diào)節(jié)電路和調(diào)節(jié)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210520690.4
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103856186A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙孝剛
• 申請（專利權(quán)）人: 艾爾瓦特集成電路科技（天津）有限公司
• 主分類號: H03K3/017
• 分類號: H03K3/017
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種方波發(fā)生電路，包括：

第一鏡像電流支路，在所述第一鏡像電流支路與地之間連接有第一開關(guān)元件以及與所述第一開關(guān)元件并聯(lián)的第一電容器，其中所述第一開關(guān)元件可操作以在第一時(shí)鐘信號的控制下周期性地打開或閉合，從而可以在所述第一電容器的非接地端產(chǎn)生第一鋸齒波信號；

第二鏡像電流支路，在所述第二鏡像電流支路與地之間連接有第二開關(guān)元件以及與所述第二開關(guān)元件并聯(lián)的第二電容器，其中所述第二開關(guān)元件可操作以在與所述第一時(shí)鐘信號同步的第二時(shí)鐘信號的控制下周期性地打開或閉合，從而可以在所述第二電容器的非接地端產(chǎn)生第二鋸齒波信號；以及

比較器，其一個(gè)輸入端與所述第一電容器的所述非接地端連接，其另一個(gè)輸入端與所述第二電容器的所述非接地端連接，從而可以在其輸出端輸出方波信號，所述方波信號的占空比依賴于所述第二電容器的電容值與所述第一電容器的電容值之間的比值。

2.如權(quán)利要求1所述的方波發(fā)生電路，其中，所述第二電容器的電容值與所述第一電容器的電容值之間的比值大于1，所述方波信號的占空比隨著所述比值的增大而減小。

3.如權(quán)利要求2所述的方波發(fā)生電路，其中，所述比較器的同相輸入端與所述第二電容器的所述非接地端連接，其反相輸入端與所述第一電容器的所述非接地端連接。

4.如權(quán)利要求3所述的方波發(fā)生電路，其中，所述第一時(shí)鐘信號是占空比為50％的方波信號，所述第二時(shí)鐘信號是基于所述第一時(shí)鐘信號產(chǎn)生的占空比小于4％的方波信號。

5.如權(quán)利要求4所述的方波發(fā)生電路，其中，所述第二時(shí)鐘信號的占空比小于1％。

6.如權(quán)利要求4所述的方波發(fā)生電路，進(jìn)一步包括時(shí)鐘信號轉(zhuǎn)換電路，所述信號轉(zhuǎn)換電路包括：

串聯(lián)的第一反相器、第二反相器和第三反相器，所述第一反相器的輸入端可操作以接收所述第一時(shí)鐘信號；

一個(gè)電容器，其一端與所述第一反相器的輸出端連接，另一端接地；

一個(gè)與門，其一個(gè)輸入端與所述第三反相器的輸出端連接，另一個(gè)輸入端與所述第一反相器的輸入端連接，從而在所述與門的輸出端輸出所述第二時(shí)鐘信號。

7.如權(quán)利要求4所述的方波發(fā)生電路，其中，所述比較器輸出的方波信號的占空比等于1/[2*(1-1/n)]，其中n為所述第二電容器的電容值與所述第一電容器的電容值之間的比值，并且n大于2。

8.如權(quán)利要求1所述的方波發(fā)生電路，進(jìn)一步包括：

連接在所述第一鏡像電流支路與所述第一開關(guān)元件之間的第三開關(guān)元件，所述第三開關(guān)元件和所述第一開關(guān)元件可操作以在所述第一時(shí)鐘信號的控制下交替地打開和閉合；以及

連接在所述第二鏡像電流支路與所述第二開關(guān)元件之間的第四開關(guān)元件，所述第四開關(guān)元件和所述第二開關(guān)元件可操作以在所述第二時(shí)鐘信號的控制下交替地打開和閉合。

9.如權(quán)利要求8所述的方波發(fā)生電路，其中，所述第一鏡像電流支路包括第一P型MOS管，所述第二鏡像電流支路包括第二P型MOS管，所述第一P型MOS管的柵極和第二P型MOS管的柵極均連接到基準(zhǔn)P型MOS管的柵極，所述第一P型MOS管的源極和第二P型MOS管的源極均連接到所述方波發(fā)生電路的工作電壓，所述基準(zhǔn)P型MOS管的源極連接到所述工作電壓，所述基準(zhǔn)P型MOS管的柵極與其漏極相連，其漏極經(jīng)由一個(gè)恒流源接地；并且其中所述基準(zhǔn)P型MOS管、所述第一P型MOS管以及所述第二P型MOS管具有相同的特性。

10.如權(quán)利要求9所述的方波發(fā)生電路，其中，所述第一開關(guān)元件包括第一N型MOS管，所述第二開關(guān)元件包括第二N型MOS管，所述第三開關(guān)元件包括第三P型MOS管，所述第四開關(guān)元件包括第四P型MOS管，并且其中所述第一N型MOS管的源極接地、其漏極和柵極分別連接至所述第三P型MOS管的漏極和柵極，所述第三P型MOS管的源極連接至所述第一P型MOS管的漏極，所述第二N型MOS管的源極接地、其漏極和柵極分別連接至所述第四P型MOS管的漏極和柵極，所述第四P型MOS管的源極連接至所述第二P型MOS管的漏極。

11.如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方波發(fā)生電路，進(jìn)一步包括一個(gè)或門，所述或門對所述比較器輸出的方波信號和所述第一時(shí)鐘信號執(zhí)行邏輯或操作以輸出另一方波信號。

12.一種集成電路，包括如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的方波發(fā)生電路。