[發明專利]制備氮化物半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210520669.4
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103035793A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 駒田聰
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/22;H01S5/02;H01S5/028
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種氮化物半導體器件的制造方法，包括步驟：

通過金屬有機化學氣相沉積形成第一氮化物半導體層；

在所述第一半導體層上形成氮化硅層；

通過金屬有機化學氣相沉積形成具有傾斜面的第二氮化物半導體層以覆蓋所述第一氮化物半導體層和所述氮化硅層；以及

通過金屬有機化學氣相沉積形成具有平坦上表面的第三氮化物半導體層以掩埋所述第二氮化物半導體層的所述傾斜面；

在通過金屬有機化學氣相沉積形成第二氮化物半導體層的所述步驟中，提供到金屬有機化學氣相沉積生長設備的生長腔中的V族元素氣體與III族元素氣體的摩爾流量比率設置為240或更小。

2.根據權利要求1的氮化物半導體器件的制造方法，其中

提供藍寶石襯底，

所述方法還包括在通過金屬有機化學氣相沉積形成第一氮化物半導體層的所述步驟之前在所述襯底的表面上形成緩沖層的步驟，以及

通過金屬有機化學氣相沉積形成第一氮化物半導體層的所述步驟包括在所述緩沖層上形成所述第一氮化物半導體層的步驟。

3.根據權利要求2的氮化物半導體器件的制造方法，其中

所述緩沖層是氮化鋁。

4.根據權利要求2的氮化物半導體器件的制造方法，其中

所述襯底的所述表面具有凹部和凸部。

5.根據權利要求1的氮化物半導體器件的制造方法，其中

所述第一氮化物半導體層包括傾斜面層和平坦層。

6.根據權利要求1的氮化物半導體器件的制造方法，其中

所述第二氮化物半導體層的所述傾斜面以相對于所述第二氮化物半導體層的生長表面成45°或更大的角度傾斜。

7.根據權利要求1的氮化物半導體器件的制造方法，其中

所述第二氮化物半導體層具有2μm或更大的厚度。