[發明專利]用于太陽能電池的銦摻雜硫化鎘量子點敏化劑及制備方法無效
| 申請號: | 201210520505.1 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103854873A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 鄒小平;黃宗波;周洪全 | 申請(專利權)人: | 北京信息科技大學 |
| 主分類號: | H01G9/20 | 分類號: | H01G9/20;H01G9/042 |
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| 地址: | 100101 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 太陽能電池 摻雜 硫化 量子 點敏化劑 制備 方法 | ||
1.一種用于太陽能電池的銦摻雜硫化鎘量子點敏化劑,其特征在于:所述方法是將雜質原子摻雜到半導體量子點中,作為敏化劑組裝成量子點敏化太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的銦摻雜硫化鎘量子點敏化劑,其特征在于所述的摻雜方法為連續離子層吸附與反應(Successive?ionic?layer?adsorption?and?reaction,SILAR)。
3.根據權利要求1所述的銦摻雜硫化鎘量子點敏化太陽能電池,其特征在于所述的電池敏化劑層結構為:PbS/In摻雜的CdS。
4.根據權利要求1所述的量子點敏化劑,其特征在于所述的量子點敏化劑為PbS、In摻雜的CdS。
5.根據權利要求1所述的摻雜量子點敏化劑,其特征在于所述的雜質原子為In。
6.根據權利要求1所述的摻雜量子點敏化劑,其特征在于所述的In雜質原子摻入CdS量子點形成In摻雜的CdS半導體量子點。
7.根據權利要求1所述的敏化太陽能電池,其特征在于所述的In摻雜的CdS半導體量子點沉積在PbS半導體量子點之上,作為敏化劑組裝成量子點敏化太陽能電池。
8.根據權利要求1所述的摻雜量子點敏化劑,其特征在于所述方法的具體步驟為:
1)配備濃度為0.01M-1M含有PbS半導體量子點陽離子的可溶性鹽溶液,放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min;
2)配備濃度為0.01M-1M含有半導體量子點陰離子的可溶性溶液,放入20-50℃的水浴中恒溫20-60min;
3)將待敏化的寬禁帶半導體光陽極材料浸入步驟1)制備的溶液中1-60min,取出用相應溶劑沖洗之后,用氮氣吹干;
4)將步驟3)得到的光陽極材料浸入步驟2)制備的陰離子溶液中1-10min,取出用相應溶劑沖洗之后,用氮氣吹干,則在光陽極材料上形成PbS半導體量子點敏化劑層;
5)配備濃度為0.01M-1M含有CdS半導體量子點陽離子的可溶性鹽溶液,放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min;
6)將含有In雜質原子的可溶性鹽溶液加入步驟5)配備的陽離子溶液當中,其中雜質原子與半導體量子點原子個數的比為1∶1-1∶1000;
7)將步驟4)制得的PbS量子點敏化光陽極材料浸入步驟6)制備的溶液中1-10min,取出用相應溶劑沖洗之后,用氮氣吹干;
8)將步驟7)制得的光陽極材料浸入步驟2)制備的陰離子溶液中1-10min,取出用相應溶劑沖洗之后,用氮氣吹干,則在光陽極材料上分別形成PbS和In摻雜CdS量子點敏化劑層。
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