[發明專利]銅銦摻雜硫化鎘量子點敏化太陽能電池及其制備方法無效
| 申請號： | 201210520487.7 | 申請日： | 2012-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN103854870A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 鄒小平;周洪全;黃宗波;滕功清 | 申請（專利權）人： | 北京信息科技大學 |
| 主分類號： | H01G9/20 | 分類號： | H01G9/20;H01G9/042 |
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| 地址： | 100101 北京市朝*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 硫化 量子 點敏化 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于太陽能電池的銅銦摻雜量子點敏化劑，其特征在于：所述方法是將雜質原子摻雜到半導體量子點中，作為敏化劑組裝成量子點敏化太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的銅銦摻雜量子點敏化劑，其特征在于所述的半導體量子點為CdS。
3.根據權利要求1所述的銅銦摻雜硫化鎘量子點敏化劑，其特征在于所述的摻雜方法為連續離子層吸附與反應(Successive?ionic?layer?adsorption?and?reaction，SILAR)。
4.根據權利要求1所述的摻雜量子點敏化劑，其特征在于所述的雜質原子為Cu和In。
5.根據權利要求1所述的摻雜量子點敏化劑，其特征在于所述的Cu雜質原子和In雜質原子分別摻入CdS量子點中形成的敏化劑層結構為：Cu摻雜CdS/In摻雜CdS。
6.根據權利要求1所述的量子點敏化太陽能電池，其特征在于所述的銅銦摻雜的CdS半導體量子點作為敏化劑組裝成量子點敏化太陽能電池。
7.根據權利要求1所述的摻雜量子點敏化劑，其特征在于所述方法的具體步驟為：
1)配備濃度為0.01M-1M含有半導體量子點陽離子的可溶性鹽溶液，放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min；
2)將含有Cu雜質原子的可溶性鹽溶液加入步驟1)配備的陽離子溶液當中，其中雜質原子與半導體量子點原子個數之比為1∶1-1∶1000；
3)配備濃度為0.01M-1M含有半導體量子點陰離子的可溶性溶液，放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min；
4)將待敏化的寬禁帶半導體光陽極材料浸入步驟2)制備的溶液中1-10min，取出用相應溶劑清洗干凈，并用氮氣吹干；
5)將步驟4)得到的光陽極材料浸入步驟3)制備的陰離子溶液中1-10min，取出用相應溶劑清洗干凈，并用氮氣吹干，則在光陽極材料上形成Cu摻雜的CdS半導體量子點敏化劑層；
6)配備濃度為0.01M-1M含有半導體量子點陽離子的可溶性鹽溶液，放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min；
7)將含有In雜質原子的可溶性鹽溶液加入步驟6)配備的陽離子溶液當中，其中雜質原子與半導體量子點原子個數的比為1∶1-1∶100；
8)將步驟5)制得的Cu摻雜的CdS量子點敏化光陽極材料浸入步驟7)制備的溶液中1-10min，取出用相應溶劑清洗干凈，并用氮氣吹干；
9)將步驟8)制得的光陽極材料浸入步驟3)制備的陰離子溶液中1-10min，取出用相應溶劑清洗干凈，并用氮氣吹干，則在光陽極材料上形成了Cu摻雜CdS和In摻雜CdS量子點敏化劑層。
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