[發明專利]含溝槽結構肖特基嵌位二極管及終端結構無效
| 申請號： | 201210520057.5 | 申請日： | 2012-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN103855226A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 劉遠良;衷世雄 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 結構 肖特基嵌位 二極管 終端 | ||
【權利要求書】：
1.一種含溝槽結構肖特基嵌位二極管，包括：一N型外延層，作為含溝槽結構肖特基嵌位二極管的負極；其特征在于，還包括：
在所述N型外延層中形成的多個溝槽，在所述溝槽內形成的一層氧化層，位于所述氧化層之上，填充滿所述溝槽的多晶硅；所述多個溝槽及其內部的氧化層和多晶硅，構成溝槽區域；
在所述溝槽底部形成的且包裹溝槽底部的P型摻雜區；各P型摻雜區相互之間不相連；
在所述N型外延層和溝槽區域的上端形成的金屬層，通過該金屬層將N型外延層與所述溝槽區域相連接，作為含溝槽結構肖特基嵌位二極管正極。
2.如權利要求1所述的含溝槽結構肖特基嵌位二極管，其特征在于：所述N型外延層的電阻率及厚度按照產品本身反向耐壓確定。
3.一種與權利要求1或2任一所述含溝槽結構肖特基嵌位二極管相匹配的終端結構，其特征在于：對于終端區域的至少第一個溝槽內的多晶硅會與原胞區等電位，向外端終端區域會放置幾個未與金屬層相連的浮動溝槽向外排列。
4.如權利要求3所述的終端結構，其特征在于：終端區域內的相鄰兩個溝槽之間的間距小于原胞區。
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