[發(fā)明專利]反鐵電單晶鈮镥酸鉛及其制備方法和用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210519904.6 | 申請日： | 2012-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN103014863B | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉穎;龍西法;李修芝;王祖建;何超 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號： | C30B29/30 | 分類號： | C30B29/30;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京元周律知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11540 | 代理人： | 張瑩 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反鐵電單晶鈮镥酸鉛 及其 制備 方法 用途 | ||
1.反鐵電單晶鈮镥酸鉛，該單晶化學(xué)式為Pb(Lu1/2Nb1/2)O3，具有超晶格結(jié)構(gòu)，屬于典型的鈣鈦礦型晶體；所述反鐵電單晶的形貌為顯露(001)及(111)自然生長面的立方體和八面體的聚形晶體；所述反鐵電單晶的居里溫度為240℃。
2.一種權(quán)利要求1所述的反鐵電單晶的制備方法，包括如下生長步驟：
a)將初始原料PbO或Pb3O4、Lu2O3、Nb2O5按晶體的化學(xué)組成進行配比；
b)助熔 劑采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3復(fù)合助熔 劑；
c)將晶體原料和助熔 劑在容器中攪拌混合研磨；
d)將混合均勻的粉料裝入坩堝中，并把坩堝置于晶體生長爐中化料；
e)在晶體生長過程中將原料加熱至1000-1200℃之間，恒溫，然后以每天1-20℃的速率降溫；生長結(jié)束，以5-40℃/h降溫退火，后取出晶體。
3.一種權(quán)利要求1所述的反鐵電單晶的制備方法，包括如下生長步驟：
a)將初始原料PbO或Pb3O4、Lu2O3、Nb2O5按晶體的化學(xué)組成進行配比；
b)助熔 劑采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3復(fù)合助熔 劑；
c)將晶體原料和助熔 劑在容器中攪拌混合研磨；
d)將混合均勻的粉料裝入坩堝中，并把坩堝置于晶體生長爐中化料；
e)在晶體生長過程中將原料加熱至1000-1200℃之間，恒溫；然后用高溫溶液法生長的籽晶找到過飽和溫度，在過飽和溫度引入籽晶生長，生長過程中晶轉(zhuǎn)速率為5-30rpm，降溫速率為每天0.1-5℃；生長結(jié)束，以5-40℃/h降溫退火，后取出晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反鐵電單晶的制備方法，其特征在于：所述的籽晶生長方向為(001)或(110)或(111)方向。
5.權(quán)利要求1所述的反鐵電單晶用于制備反鐵電存儲領(lǐng)域的器件。
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