[發明專利]一種金屬摻雜無氫類金剛石碳膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210519829.3
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN102965618A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 岳文;王松;付志強;王成彪;于翔;彭志堅;龐天舒
• 申請（專利權）人: 中國地質大學(北京)
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬摻雜無氫類金剛石薄膜制備方法，其特征在于包括下列步驟：

a、將工件利用去離子水超聲波清洗干凈烘干后，固定于離子束輔助沉積鍍膜設備真空室內的工件轉盤上，并將真空室抽真空；

b、將氬氣通入真空室，并保持真空度的穩定，開啟工件轉盤，開啟離子源和輔助源分別將工件及靶材表面清洗和活化；

c、氣源持續供氣，保持真空度穩定，開啟離子源與輔助源在工件表面沉積制備金屬摻雜無氫類金剛石薄膜；

d、關閉工件轉盤，等待工作臺溫度充分降低后取出工件。

2.根據權利要求1所述的金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述真空室的真空度優于2×10^-4Pa。

3.根據權利1所述金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述真空室在持續通入氬氣過程中，真空度穩定在1.2×10^-2～1.5×10^-2Pa之間。

4.根據權利1所述金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其所述離子源工作電壓根據不同需求調整范圍為2.0～3.5KV，離子束流20～100mA，工作時間為60min～180min。

5.根據權利1所述金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述靶材為純度大于99.97％的高純度金屬靶與石墨靶，濺射沉積過程中雙靶同時濺射。

6.根據權利1所述金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其特征在于所述金屬靶材料為鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋯(Zr)中的任何一種。

7.根據權利1所述金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其特征在于離子源濺射沉積過程中輔助源輔助轟擊進行薄膜制備，根據不同需求輔助源電壓調節范圍為0.2～0.8KV，束流密度為20～100mA。

8.根據權利1所述金屬摻雜無氫類金剛石薄膜的制備方法，其所述工作臺溫度降低至不高于50℃方能取出工件。