[發明專利]具有電阻式傳感器的溫度開關

有效

• 申請號: 201210519717.8
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN103186108A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: O·倫菲爾;R·尚卡
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042;G01K7/16
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路器件，包括：?

襯底；?

形成在所述襯底上的惠斯通電橋，所述惠斯通電橋包括：?

耦合在第一互連與第二互連之間的第一薄膜電阻器，所述第一電阻器對溫度不敏感；?

耦合在所述第二互連與第三互連之間的第二薄膜電阻器，所述第二電阻器對溫度不敏感；?

耦合在所述第三互連與第四互連之間的第三薄膜電阻器，所述第三電阻器對溫度敏感；?

耦合在所述第一互連與所述第四互連之間的第四薄膜電阻器，所述第四電阻器對溫度不敏感；?

形成在所述襯底上并且耦合在所述第一互連與所述第三互連之間的電壓源；以及?

形成在所述襯底上并且具有耦合到所述第二互連的第一輸入、耦合到所述第四互連的第二輸入、以及輸出的比較器。?

2.如權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述第一薄膜電阻器、所述第二薄膜電阻器和所述第四薄膜電阻器具有第一電阻溫度系數并且所述第三薄膜電阻器具有第二電阻溫度系數，所述第二電阻溫度系數大于所述第一電阻溫度系數。?

3.如權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述第一薄膜電阻器、所述第二薄膜電阻器、所述第三薄膜電阻器和所述第四薄膜電阻器包括鉻和硅。?

4.如權利要求3所述的集成電路器件，其中，在所述第一薄膜電阻器、所述第二薄膜電阻器和所述第四薄膜電阻器中的鉻硅比大于在所述第三薄膜電阻器中的鉻硅比。?

5.如權利要求1所述的集成電路器件，還包括與所述第一薄膜電阻器、所述第二薄膜電阻器、所述第三薄膜電阻器和所述第四薄?膜電阻器相鄰的多個加熱器，所述多個加熱器中的每個加熱器被配置為獨立地操作以改變相應的薄膜電阻器的電阻。?

6.如權利要求1所述的集成電路器件，還包括與所述第三薄膜電阻器相鄰的加熱器，所述加熱器被配置為改變所述第三薄膜電阻器的電阻。?

7.如權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述第一電阻器、所述第二電阻器、所述第三電阻器和所述第四電阻器中的每個電阻器的電阻相同。?

8.如權利要求1所述的集成電路器件，還包括用于將所述第一電阻器、所述第二電阻器和所述第四電阻器與所述第三電阻器分隔的第一電介質以及用于將所述第三電阻器與環境分隔的第二電介質。?

9.如權利要求8所述的集成電路器件，其中，所述第一電介質是不導熱的而所述第二電介質是導熱的。?

10.一種方法，包括：?

形成集成電路器件，所述形成所述器件包括：?

形成惠斯通電橋，所述形成惠斯通電橋包括：?

在襯底之上形成多個第一互連結構；?

形成與所述第一互連結構相接觸的第一薄膜電阻性層，所述第一薄膜電阻性層具有第一電阻溫度系數；?

通過去除所述第一薄膜電阻性層的部分形成第一電阻器、第二電阻器和第三電阻器；?

在所述第一電阻器、所述第二電阻器和所述第三電阻器以及所述第一互連結構之上形成第一層間電介質；?

在所述第一層間電介質層之上形成多個第二互連結構；?

形成與所述第二層間電介質層相接觸的第二薄膜電阻性層，所述第二薄膜電阻性層具有大于所述第一電阻溫度系數的第二電阻溫度系數；以及?

通過去除所述第二薄膜電阻性層的部分形成第四電阻?器。?

11.如權利要求10所述的方法，還包括：?

利用所述第一互連將所述第一電阻器耦合到所述第三電阻器；?

利用所述第二互連將所述第一電阻器耦合到所述第二電阻器；?

利用所述第三互連將所述第二電阻器耦合到所述第四電阻器；?

利用所述第四互連將所述第三電阻器耦合到所述第四電阻器。?

12.如權利要求11所述的方法，還包括：?

形成具有第一輸入和第二輸入的比較器，所述形成包括：?

將所述第一輸入耦合到所述第二互連；以及?

將所述第二輸入耦合到所述第四互連。?

13.如權利要求12所述的方法，還包括將電壓源耦合到所述第一互連和所述第三互連。?