[發明專利]一種部分場板屏蔽的高壓互連結構有效
| 申請號： | 201210519390.4 | 申請日： | 2012-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN102945839A | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發明（設計）人： | 喬明;張昕;許琬;李燕妃;周鋅;吳文杰;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李順德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 部分 屏蔽 高壓 互連 結構 | ||
1.一種部分場板屏蔽的高壓互連結構，用于具有高壓互連線的跑道型橫向功率器件中，包括雙層部分多晶屏蔽場板和高壓互連線；所述雙層部分多晶屏蔽場板僅存在于高壓互連線跨過的器件表面層中，無高壓互連線跨越的器件表面沒有多晶屏蔽場板；所述雙層部分多晶屏蔽場板由第一層場板和第二層場板構成，其中第二層場板位于第一層場板與高壓互連線之間；兩層場板在器件表面層中呈非連續分布狀，且兩層場板之間交錯分布并相距適當的距離。
2.根據權利要求1所述的部分場板屏蔽的高壓互連結構，其特征在于，跑道型橫向功率器件的源極與雙層部分多晶場板的第二層場板中位于器件源端的子場板相連，跑道型橫向功率器件的漏極與雙層部分多晶場板的第一層場板中位于器件漏端的子場板相連。
3.根據權利要求1所述的部分場板屏蔽的高壓互連結構，其特征在于，跑道型橫向功率器件的源極與雙層部分多晶場板的第二層場板中位于器件源端的子場板相連，跑道型橫向功率器件的漏極與雙層部分多晶場板的第二層場板中位于器件漏端的子場板相連。
4.根據權利要求1所述的部分場板屏蔽的高壓互連結構，其特征在于，跑道型橫向功率器件的源極與雙層部分多晶場板的第一層場板中位于器件源端的子場板相連，跑道型橫向功率器件的漏極與雙層部分多晶場板的第一層場板中位于器件漏端的子場板相連。
5.根據權利要求1所述的部分場板屏蔽的高壓互連結構，其特征在于，跑道型橫向功率器件的源極與雙層部分多晶場板的第一層場板中位于器件源端的子場板相連，跑道型橫向功率器件的漏極與雙層部分多晶場板的第二層場板中位于器件漏端的子場板相連。
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