[發明專利]一種刻蝕的方法

在審

• 申請號: 201210518429.0
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103854994A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 姬亞東;方紹明;陳志聰
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，特別涉及一種刻蝕的方法。

背景技術

DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）技術與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）技術是當今半導體界流行的芯片制造技術，尤其IGBT，是正在快速發展的高壓大電流Power?Device（功率器件）芯片制造技術。

傳統的工藝流程中，要對半導體的加工流程，首先是依次刻蝕硅片表面覆蓋的BPTEOS（含硼磷的正硅酸乙脂）層和LPTEOS（低壓下淀積的正硅酸乙脂）層，以及Contact（源區金屬接觸）窗口；其次，注入BF2（氟化硼）離子以及濺射金屬；最后，去除光刻膠以及清洗。

但本申請發明人在實現本申請實施例中發明技術方案的過程中，發現上述技術至少存在如下技術問題：

由于現有技術的方法流程中采用將刻蝕步驟完成后，就直接進行離子注入以及濺射金屬步驟，將去除光刻膠及殘留物的步驟放在最后一步，中間不進行光刻膠以及窗口殘留物去除，前面刻蝕步驟中產生大量的Polymer（聚合物）附著在Contact窗口內，會影響繼續刻蝕步驟的技術問題；

也導致后續步驟中BF2離子注入不均勻以及對濺射金屬形成的金屬硅化物有很大影響的技術問題；

又由于離子注入不均勻與濺射金屬形成的金屬硅化物受影響，降低了電阻的均勻性，直接導致制造出來的半導體器件抗EAS擊穿能力弱的技術問題。

發明內容

本申請實施例通過提供一種刻蝕的方法，用于解決現有技術中由于將去除光刻膠及殘留物放在流程的最后一步，中間不進行光刻膠以及窗口殘留物去除，造成附著在窗口的殘留物影響繼續刻蝕及離子注入等步驟的進行的技術問題，實現了提高半導體器件電阻的均勻性和抗EAS擊穿能力的技術效果。本申請實施例提供的一種刻蝕的方法，包括：

通過光刻膠層上面的第一開口刻蝕位于所述光刻膠層下面的BPTEOS層，及位于所述BPTEOS層下面的LPTEOS層，生成一深度至位于所述LPTEOS層下面的硅片層上表面的第二開口；

去除所述BPTEOS層表面的所述光刻膠層；

去除在刻蝕形成所述第二開口過程中殘留在所述第二開口內壁的殘留物；

通過所述第二開口刻蝕所述硅片層上表面，在所述硅片層上表面形成位置與所述第二開口對應的第三開口。

可選的，所述通過所述第二開口刻蝕所述硅片層上表面，在所述硅片層上表面形成位置與所述第二開口對應的第三開口，具體為：

向所述BPTEOS層表面注入一氣體，使得所述氣體進入所述第二開口，在所述第二開口內壁的所述BPTEOS層表面以及LPTEOS層表面上形成一種保護層；

同時，通過所述第二開口刻蝕所述硅片層上表面，在所述硅片層上表面形成位置與所述第二開口對應的第三開口。

可選的，所述氣體具體為溴化氫氣體。

可選的，所述去除所述BPTEOS層表面的所述光刻膠層，具體為：

向所述BPTEOS層表面噴射等離子氣體，以去除所述BPTEOS層表面的所述光刻膠層；

通過濃硫酸與雙氧水的混合溶液，清洗所述BPTEOS層表面，以去除所述BPTEOS層表面殘留的所述光刻膠層；

通過氨水與雙氧水的混合溶液，繼續清洗所述BPTEOS層表面，以去除所述BPTEOS層表面殘留的所述光刻膠層。

可選的，所述去除在刻蝕形成所述第二開口過程中殘留在所述第二開口內壁的殘留物，具體為：

通過氫氟酸清洗所述第二開口內壁，以去除在刻蝕形成所述第二開口過程中殘留在所述第二開口內壁的殘留物。

可選的，在所述通過所述第二開口刻蝕所述硅片層上表面，在所述硅片層上表面形成位置與所述第二開口對應的第三開口之后，還包括：

通過氫氟酸清洗所述第三開口的內壁。

可選的，在所述通過氫氟酸清洗所述第三開口的內壁之后，所述方法還包括：

向所述BPTEOS層表面以及所述第三開口內注入氟化硼離子。

可選的，在所述向所述BPTEOS層表面以及所述第三開口內注入符合預設條件離子之后，還包括：

向所述BPTEOS層表面以及所述第三開口內濺射金屬，以形成金屬硅化物。

本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點：