[發明專利]用于生產硅錠的方法

有效

• 申請號: 201210517536.1
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103132133A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: A·克勞澤;M·迪特里希;C·舒伯特;B·沃爾;J·沃爾特
• 申請（專利權）人: 太陽世界創新有限公司
• 主分類號: C30B11/02
• 分類號: C30B11/02;C30B29/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 吳鵬;馬江立

1.一種用于生產硅錠（1）的方法，該方法包括以下步驟：

提供用于容納熔融硅（3）的容器（2），

將細晶粒硅層（5）布置在所述容器（2）中，

在所述容器（2）中布置熔融硅（3）使之與所述細晶粒硅層（5）接觸，

從所述細晶粒硅層（5）開始定向固化所述熔融硅（3）。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步驟：生產所述細晶粒硅層（5）。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，快速固化液態硅以生產所述細晶粒硅層（5）。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，液態硅與溫度比硅的熔化溫度低的基板接觸，以生產所述細晶粒硅層（5）。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，從下列中選擇所述基板：一個或多個板（4）、一層細晶粒以及所述容器的基部（9）。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，平均晶粒尺寸在0.1mm至3mm范圍內的一層細晶粒原材料被用作所述基板，并且被直接放置在所述容器（2）的基部（9）上。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述一層細晶粒原材料的厚度在1cm至5cm范圍內。

8.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板當與所述液態硅接觸時的溫度至多為1200℃。

9.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板當與所述液態硅接觸時的溫度至多為1100℃。

10.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板當與所述液態硅接觸時的溫度至多為1000℃。

11.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板至少部分由選自下列的材料制成：硅、碳化硅、氮化硅、石墨。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在與所述熔融硅（3）在其中固化的容器相同的容器（2）中生產所述細晶粒硅層（5）。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在與所述熔融硅（3）在其中固化的容器不相同的容器（2）中生產所述細晶粒硅層（5）。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述熔融硅（3）固化期間，所述細晶粒硅層（5）區域中的溫度保持在比硅的熔化溫度低的溫度。

15.如權利要求1所述的方法，其特征在于，近乎均衡地進行所述熔融硅（3）的固化。

16.一種根據權利要求1的方法生產的硅錠（1）。

17.如權利要求16所述的硅錠（1），其特征在于，晶粒數量從所述錠的基部（9）向頂部（10）減少。

18.如權利要求17所述的硅錠（1），其特征在于，所述晶粒數量從所述基部（9）向所述頂部（10）減少至少20%。

19.如權利要求17所述的硅錠（1），其特征在于，所述晶粒數量從所述基部（9）向所述頂部（10）減少至少30%。

20.如權利要求16所述的硅錠（1），其特征在于，從特定的高度（h0）之后缺陷比例保持不變。

21.如權利要求16所述的硅錠（1），其特征在于，所述硅錠（1）的高度至少為50cm。

22.如權利要求16所述的硅錠（1），其特征在于，所述硅錠（1）的高度至少為75cm。

23.如權利要求16所述的硅錠（1），其特征在于，所述硅錠（1）的高度至少為100cm。