[發明專利]等離子體處理裝置以及等離子體處理方法

有效

• 申請號: 201210517334.7
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103151234A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 奧村智洋
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉曉迪

1.等離子體處理裝置，包括：

腔室，其被電介質部件包圍，且具備作為等離子體噴出口的開口部；

氣體供給配管，其向所述腔室內部導入氣體；

螺線管線圈，其配置在所述腔室附近；

高頻電源，其連接于所述螺線管線圈，且具備脈沖調制功能；以及

基材載置臺，其配置在所述等離子體噴出口側。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，

所述等離子體處理裝置還包括使所述腔室與所述基材載置臺相對移動的移動機構，

在將所述等離子體噴出口的直徑設為D、將移動速度設為V時，所述脈沖調制功能基于下式進行所述高頻電源的接通關斷控制，即，D/V＞關斷時間。

3.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，

該等離子體處理裝置還包括使所述腔室與所述基材載置臺相對移動的移動機構，

在將所述等離子體噴出口的直徑設為D、將移動速度設為V時，所述脈沖調制功能基于下式進行所述高頻電源的接通關斷控制，即，D/V×0.1＞關斷時間。

4.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，

所述腔室為環狀。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，

所述腔室為細長的形狀，所述等離子體噴出口形成為細長線狀，

所述螺線管線圈在與所述等離子體噴出口的長邊方向平行的方向上具有細長的形狀，

所述等離子體處理裝置包括移動機構，其能夠使所述腔室和所述基材載置臺在與所述等離子體噴出口的長邊方向垂直的方向上相對移動。

6.等離子體處理方法，包括：

準備組件的工序，該組件包括被電介質部件包圍且具備作為等離子體噴出口的開口部的腔室和配置在所述腔室附近的螺線管線圈；以及

向所述腔室的內側供給氣體，同時從所述開口部向基材噴出所述氣體，并且對所述螺線管線圈供給高頻電力，在所述腔室內產生高頻電磁場以產生等離子體，對所述基材的表面進行等離子體處理的工序，

在所述進行等離子體處理的工序中，以脈沖方式對所述高頻電力進行接通關斷控制。

7.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

所述腔室為環狀。

8.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

所述脈沖調制中的接通時間為100μs以上且10ms以下。

9.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

所述脈沖調制中的關斷時間為50μs以上。

10.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

在所述進行等離子體處理的工序中，在使所述腔室與所述基材相對移動的狀態下進行處理，在將所述等離子體噴出口的直徑設為D、將移動速度設為V時，基于下式進行所述高頻電力的接通關斷控制，即，D/V＞關斷時間。

11.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

在所述進行等離子體處理的工序中，在使所述腔室與所述基材相對移動的狀態下進行處理，在將所述等離子體噴出口的直徑設為D、將移動速度設為V時，基于下式進行所述高頻電力的接通關斷控制，即，D/V×0.1＞關斷時間。

12.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

在所述進行等離子體處理的工序中，在使所述腔室和所述基材在與具有細長線狀的所述等離子體噴出口的所述腔室的長邊方向垂直的方向上相對移動的狀態下進行處理，

在將所述等離子體噴出口的與長邊方向垂直的方向的開口寬度設為D、將移動速度設為V時，基于下式進行所述高頻電力的接通關斷控制，即，D/V＞關斷時間。

13.如權利要求6所述的等離子體處理方法，

在所述進行等離子體處理的工序中，在使所述腔室和所述基材在與具有細長線狀的所述等離子體噴出口的所述腔室的長邊方向垂直的方向上相對移動的狀態下進行處理，

在將所述等離子體噴出口的與長邊方向垂直的方向的開口寬度設為D、將移動速度設為V時，基于下式進行所述高頻電力的接通關斷控制，即，D/V×0.1＞關斷時間。