[發明專利]硅基工藝中制作光纖對準基座陣列的在線量測方法

有效

• 申請號: 201210516349.1
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103852044A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 陳瑜;袁苑;羅嘯
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01B21/10
• 分類號: G01B21/10;G02B6/13;G03F7/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種硅基工藝中制作光纖對準基座陣列的在線量測方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、進行光刻版制作，在所述光刻版上畫出光纖對準基座陣列圖形和量尺圖形，該光纖對準基座陣列圖形定義出光纖對準基座的孔的尺寸和排列陣列；所述量尺圖形由一系列具有固定線寬和間距的條狀圖形組成，所述量尺圖形的各所述條狀圖形的線度和間距的和固定不變，所述條狀圖形的線度為0.1微米～1微米、兩相鄰所述條狀圖形之間的間距為0.1微米～1微米，所述光纖對準基座的孔的直徑為所述條狀圖形的線度的兩個數量級以上，在所述量尺圖形的各所述條狀圖形旁側按照順序標記數字，所述量尺圖形設置在所述光纖對準基座的孔的旁側用于對所述光纖對準基座的孔的直徑進行在線測量；

步驟二、用所述光刻版定義，將所述光纖對準基座陣列圖形、所述量尺圖形和所述量尺圖形的數字標記轉移到硅晶圓上，依據半導體光刻到刻蝕的工藝過程中，條狀圖形的線寬與間距之和不變的原理，轉移到所述硅晶圓上的所述量尺圖形的各條狀圖形的線寬和間距之和不受光刻刻蝕的工藝的影響而保持不變、且所述硅晶圓上的所述量尺圖形的各條狀圖形的線寬和間距之和和對應的所述光刻版上的所述量尺圖形的各所述條狀圖形的線度和間距的和相同；將形成有所述光纖對準基座陣列圖形和所述量尺圖形的所述硅晶圓放入到半導體制造工廠的在線線寬量測機臺中并準備測量；

步驟三、在所述線寬測量機臺中找出所述光纖對準基座的孔的一條直徑的第一端區域，用所述量尺圖形的數字標記測量所述光纖對準基座的孔的第一端所對應的數字標記值一；

步驟四、對所述硅晶圓進行移動并找出所述光纖對準基座的孔的直徑的第二端區域，所述第一端和所述第二端為所述光纖對準基座的孔的同一直徑的兩端；用所述量尺圖形的數字標記測量所述光纖對準基座的孔的第二端所對應的數字標記值二；

步驟五、將所述數字標記值二減去所述數字標記值一得到所述光纖對準基座的孔的直徑。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述量尺圖形的各所述條狀圖形的線度和間距的和小于2微米。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述光纖對準基座的孔的直徑的100微米以上。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在線線寬量測機臺的測試精度為納米量級。