[發明專利]一種雙尺寸碳化硅顆?;祀s增強鎂基復合材料的制備方法無效
| 申請號: | 201210516089.8 | 申請日: | 2012-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN102943198A | 公開(公告)日: | 2013-02-27 |
| 發明(設計)人: | 王曉軍;沈明杰;王乃舟;胡小石;吳昆;鄭明毅 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | C22C32/00 | 分類號: | C22C32/00;C22C23/00;C22C1/10 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 高會會 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 尺寸 碳化硅 顆粒 混雜 增強 復合材料 制備 方法 | ||
1.一種雙尺寸碳化硅顆?;祀s增強鎂基復合材料的制備方法,其特征在于一種雙尺寸碳化硅顆?;祀s增強鎂基復合材料的制備方法是按以下步驟完成的:一、混合:首先將納米尺度碳化硅顆粒和微米尺度的碳化硅顆?;旌暇鶆?,得到雙尺寸碳化硅顆粒;二、攪拌、超聲波分散:首先在機械攪拌條件下將雙尺寸碳化硅顆粒放入半固態狀態的鎂基體里,加入雙尺寸碳化硅顆粒后繼續攪拌4min~6min,并升溫加熱至700℃~720℃,得到混合熔體,然后在超聲波輔助下對混合熔體進行超聲分散,最后經壓鑄即得到雙尺寸碳化硅顆?;祀s增強鎂基復合材料;步驟一中所述的納米尺度碳化硅顆粒與微米尺度的碳化硅顆粒的體積比為(5~30):1;步驟二中所述的雙尺寸碳化硅顆粒與半固態狀態的鎂基體的的體積比為1:(2~10)。
2.根據權利要求1所述的一種雙尺寸碳化硅顆粒混雜增強鎂基復合材料的制備方法,其特征在于步驟一中所述的混合具體操作過程如下:在機械攪拌條件下將納米尺度碳化硅顆粒和微米尺度的碳化硅顆粒攪拌混合均勻,攪拌速度為1000r/min~1400r/min,攪拌速度時間為5min~15min。
3.根據權利要求1所述的一種雙尺寸碳化硅顆?;祀s增強鎂基復合材料的制備方法,其特征在于步驟二中所述的機械攪拌的攪拌速度為1000r/min~1400r/min。
4.根據權利要求1所述的一種雙尺寸碳化硅顆?;祀s增強鎂基復合材料的制備方法,其特征在于步驟二中所述的半固態狀態的鎂基體是采用下述操作制備的:將鎂合金從室溫加熱至700℃~720℃,完全融化后以冷卻速率為1℃/min~3℃/min冷卻到600℃~640℃,即得到半固態狀態的鎂基體;所述的鎂合金為AZ31鎂合金和AZ31B鎂合金。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的一種雙尺寸碳化硅顆粒混雜增強鎂基復合材料的制備方法,其特征在于步驟二中所述的超聲分散具體操作過程如下:在超聲波功率為400W~600W下進行超聲分散15min~25min。
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