[發(fā)明專利]一種集成保護二極管的大功率半導(dǎo)體激光芯片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210515020.3
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN103022891A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王智勇;堯舜;潘飛
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01L27/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 魏聿珠

1.一種集成保護二極管的大功率半導(dǎo)體激光芯片，其特征在于：在半導(dǎo)體激光器芯片上選擇非發(fā)光區(qū)域進行刻蝕，生長與發(fā)光區(qū)域摻雜類型相反的二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成保護二極管的大功率半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底（1）材料上，采用金屬有機化學(xué)氣相沉積進行外延層生長，依次完成N型摻雜的限制層（2），N型摻雜的波導(dǎo)層（3），量子阱（4），P型摻雜的波導(dǎo)層（5），P型摻雜的限制層（6）的生長；

2）采用標準半導(dǎo)體光刻及腐蝕工藝，根據(jù)設(shè)計的半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)，選擇半導(dǎo)體激光芯片中非發(fā)光區(qū)域進行刻蝕，直至露出襯底（1）材料；

3）在芯片刻蝕完成后，繼續(xù)生長一層二氧化硅，將非刻蝕區(qū)域進行保護；

4）采用濕法刻蝕將刻蝕區(qū)域的二氧化硅去掉，在襯底(1）上外延生長保護二極管P型摻雜層(7），然后外延生長保護二極管本征層(8）和保護二極管N型摻雜層(9），形成保護二極管結(jié)構(gòu)；

5）通過干刻將步驟4）中生長的保護二極管結(jié)構(gòu)與步驟1）中生長的外延層發(fā)光區(qū)域隔開，形成一個摻雜與激光器芯片發(fā)光區(qū)域摻雜類型相反的保護二極管結(jié)構(gòu)；

6）在步驟4）中所生成的保護二極管的N型摻雜層(9）上采用光刻膠保護，然后采用半導(dǎo)體光刻及腐蝕工藝刻蝕掉步驟4）中非刻蝕區(qū)域上生長的保護二極管結(jié)構(gòu)和步驟3）中生長的二氧化硅層；

7）將步驟6）中保護二極管N型摻雜層(9）上的光刻膠去掉去膠，露出二極管N型摻雜層(9）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種集成保護二極管的大功率半導(dǎo)體激光芯片的制作方法，其特征在于：其還可以在非發(fā)光區(qū)生長2個以上的與激光器芯片反向的保護二極管。