[發(fā)明專利]片式電阻器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210514964.9 | 申請日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103594212A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金涌旼;金正逸;田中一郎;金永泰;姜憲求 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01C7/00 | 分類號: | H01C7/00;H01C1/142;H01C17/065 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 王鳳桐;周建秋 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電阻器 及其 制造 方法 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2012年8月17日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請?zhí)枮?0-2012-0090322的優(yōu)先權(quán),該專利申請的內(nèi)容引入本申請中以作參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種片式電阻器(chip?resistor)及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著小型化的、輕型的電子設(shè)備的需求逐漸增加,片形電子部件被廣泛使用以增加電路基板的布線密度。
關(guān)于由金屬箔形成的一般的電阻器,金屬箔和基片可以通過樹脂材料,如環(huán)氧樹脂等,彼此粘合在一起。
此外,關(guān)于由金屬箔形成的一般的電阻器,電極被形成為具有包層結(jié)構(gòu)(clad?structure),或者是通過電鍍形成。
當(dāng)金屬箔和基片通過樹脂材料彼此粘合時,可能很難將通過金屬箔用作片式電阻器的電阻而產(chǎn)生的熱轉(zhuǎn)移到具有優(yōu)異散熱性的材料上。因此,片式電阻器所產(chǎn)生的熱不能從片式電阻器迅速地消散。由片式電阻器產(chǎn)生的熱可能增加電阻器的溫度。此外,由于溫度的增加,可能改變電阻的水平。當(dāng)片式電阻器用來檢測電流時,作為用于檢測電流的電阻器的片式電阻器的精確度可能會降低。
此外,由片式電阻器所產(chǎn)生的熱量可能會融化用于形成粘合劑的環(huán)氧樹脂。因此,在金屬箔和電阻器之間的粘合方面可能出現(xiàn)問題。
當(dāng)電極形成為具有包層結(jié)構(gòu)時,可能難以精確地控制片式電阻器的厚度。
當(dāng)電極通過電鍍形成時,因?yàn)樵陔姌O邊緣的電流密度增大,在電極邊緣和中央部分之間可能產(chǎn)生厚度差。電極的厚度差可能影響電阻并可能弱化粘合。
【相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)】
(專利文獻(xiàn)1)日本專利特許公開號2010-114167
(專利文獻(xiàn)2)美國專利申請公開號2009-0000811
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種具有改進(jìn)的散熱性的片式電阻器及其制造方法。
本發(fā)明的另一方面提供了一種包括厚度被精確控制的電極的片式電阻器以及該片式電阻器的制造方法。
本發(fā)明的另一方面提供了一種能精確地調(diào)整目標(biāo)電阻的片式電阻器以及該片式電阻器的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明一方面,提供了一種片式電阻器,該片式電阻器包括:陶瓷基片;形成在所述陶瓷基片的表面上的粘合部;以及形成在所述粘合部上的電阻,其中,所述粘合部含有銅(Cu)、鎳(Ni)和銅-鎳(Cu-Ni)中的至少一種。
所述電阻可以含有銅-鎳(Cu-Ni)、銅-鎳-錳(Cu-Ni-Mn)和鎳-鉻(Ni-Cr)中的至少一種。
所述片式電阻器可以進(jìn)一步包括形成在所述電阻表面上的電極。
所述片式電阻器可以進(jìn)一步包括形成在所述電極表面上的附加電極,以精確地調(diào)整電阻。
所述片式電阻器可以進(jìn)一步包括部分覆蓋所述電阻和所述電極的保護(hù)層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種制造片式電阻器的方法,該方法包括:制備陶瓷基片;在所述陶瓷基片的表面上印刷含有銅(Cu)、鎳(Ni)和銅-鎳(Cu-Ni)中的至少一種的糊狀粘合劑;以及在所述糊狀粘合劑的上表面形成電阻。
所述電阻可以含有銅-鎳(Cu-Ni)、銅-鎳-錳(Cu-Ni-Mn)和鎳-鉻(Ni-Cr)中的至少一種。
所述方法可以進(jìn)一步包括通過在所述電阻表面上印刷電極膏(electrodepaste)來形成電極。
所述方法可以進(jìn)一步包括焙燒所述電極。
所述電極的焙燒可以在800℃到1400℃的溫度下進(jìn)行。
所述方法可以進(jìn)一步包括在所述電極的表面上形成附加電極,以精確地調(diào)整電阻。
所述方法可以進(jìn)一步包括形成部分覆蓋所述電阻和所述電極的保護(hù)層。
附圖說明
以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述將更清楚地理解本發(fā)明的上述以及其它方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn),其中:
圖1A-1C是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的片式電阻器的剖視圖;
圖2是制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的片式電阻器的方法的流程圖;
圖3A-3F是用于說明制造圖2的片式電阻器的方法的剖視圖;
圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的糊狀粘合劑圖案的示意圖;和
圖5A和5B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的電阻和電極之間的粘合表面的光學(xué)顯微鏡圖像。
具體實(shí)施方式
在下文中,本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖來詳細(xì)描述。然而,本發(fā)明可以以很多不同形式實(shí)施并且本發(fā)明不應(yīng)該解釋為限于在此說明的實(shí)施方式。而是,提供這些實(shí)施方式以致完全和徹底公開本發(fā)明,并將為本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的概念。
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