[發(fā)明專利]一種IGBT結(jié)殼熱阻的測量方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210514961.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN103852483A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董少華;朱陽軍;陸江;王任卿;佘超群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G01N25/20
• 分類號(hào): G01N25/20
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種IGBT結(jié)殼熱阻的測量方法，其特征在于，包括：

提供第一待測IGBT，所述第一待測IGBT包括：封裝芯片和封裝外殼；

提供第二待測IGBT，所述第二待測IGBT包括：封裝芯片、封裝外殼以及位于所述封裝芯片與封裝外殼之間的導(dǎo)熱層，其中，所述導(dǎo)熱層的導(dǎo)熱系數(shù)大于空氣的導(dǎo)熱系數(shù)；

在相同的測量條件下，分別對(duì)所述第一待測IGBT和所述第二待測IGBT施加預(yù)設(shè)的加熱功率，測得所述第一待測IGBT和第二待測IGBT在該加熱功率下的結(jié)溫曲線；

根據(jù)所述第一待測IGBT和第二待測IGBT在該加熱功率下的結(jié)溫曲線，獲得所述第一待測IGBT和第二待測IGBT瞬態(tài)熱阻抗曲線或結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線；

根據(jù)所述第一待測IGBT和第二待測IGBT瞬態(tài)熱阻抗曲線或結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線，獲得所述第一待測IGBT的結(jié)殼熱阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述結(jié)溫曲線為升溫曲線或降溫曲線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測量方法，其特征在于，所述瞬態(tài)熱阻抗曲線與所述結(jié)溫曲線之間的關(guān)系式為：

ZθJC(t)=±TJ0-TJ(t)ΔP;]]>

其中，ΔP表示預(yù)設(shè)的加熱功率；T_J0表示初始結(jié)溫；T_J(t)表示不同時(shí)刻結(jié)溫；Z_θJC(t)表示相應(yīng)的不同時(shí)刻的阻抗值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測量方法，其特征在于，所述溫度曲線為升溫曲線時(shí)，T_J0表示未施加預(yù)設(shè)的加熱功率前的結(jié)溫。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測量方法，其特征在于，所述溫度曲線為降溫曲線時(shí)，T_J0表示撤出所述預(yù)設(shè)的加熱功率時(shí)刻的結(jié)溫。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測量方法，其特征在于，在預(yù)設(shè)時(shí)間外，根據(jù)TJ(t)=TJ0′+ΔVceαVce,]]>獲得預(yù)設(shè)時(shí)間外不同時(shí)刻的結(jié)溫；

其中，T_J(t)表示預(yù)設(shè)時(shí)間外不同時(shí)刻的結(jié)溫；T′_J0表示撤出所述預(yù)設(shè)的加熱功率預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)的結(jié)溫。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測量方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為10μs-30μs。