[發明專利]一種屏體老煉引線布線結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201210514843.4
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103021306A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 邱勇;尤沛升;王龍;甘帥燕
• 申請（專利權）人: 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種屏體老煉引線布線結構，包括COM引線、SEG引線、從COM引線末端引出的COM老煉引線（3）、從SEG引線末端引出的SEG老煉引線、以及水平粘附在所述COM老煉引線（3）和SEG老煉引線上用于邦定驅動芯片或者電路板的導電膠條（5），其特征在于，

所述導電膠條（5）中條形絕緣區域（1）和條形導電區域（2）交替設置，且所述條形絕緣區域（1）和所述條形導電區域（2）長度方向與所述導電膠條（5）的長度方向的夾角為0-180°；

所述COM老煉引線（3）和所述SEG老煉引線穿過所述導電膠條（5）的導電區域（2）；

所述COM老煉引線（3）的數量等于所述COM引線的數量；所述SEG老煉引線的數量等于所述SEG引線的數量；

所述COM老煉引線（3）、所述SEG老煉引線均為斜折線，所述斜折線包括順次與所述引線相連的斜線與折線；

所述COM老煉引線（3）和所述SEG老煉引線間的最小間距大于所述導電膠條（5）的相鄰導電區域（2）中心間距離。

2.根據權利要求1所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述SEG老煉引線包括分列于所述COM老煉引線（3）兩側的左SEG老煉引線（41）和右SEG老煉引線（42）。

3.根據權利要求2所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述COM老煉引線（3）、所述左SEG老煉引線（41）和所述右SEG老煉引線（42）中的所述斜線與所述引線的夾角大于0°且小于45°，所述斜線與所述折線的夾角大于90°且小于180°，且彎折方向一致。

4.根據權利要求2所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述左SEG老煉引線（41）與所述右SEG老煉引線（42）中的所述斜線與所述引線的夾角大于0°且小于45°，所述斜線與所述折線的夾角大于90°且小于180°，且朝相背離的方向彎折；所述COM老煉引線（3）中的所述斜線與所述引線的夾角大于0°且小于90°，所述斜線與所述折線的夾角為180°。

5.根據權利要求1-4任一所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述斜線的長度為0.1-0.5mm,所述折線的長度為0.1-0.5mm。

6.根據權利要求1-5任一所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述COM老煉引線（3）和SEG老煉引線包括ITO層和設置在ITO層上的導電介質層。

7.根據權利要求6所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述導電介質層是電阻率小于10×10^-8Ω.m的導電金屬或者導電合金層。

8.根據權利要求6或7所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述ITO層的厚度為120-180nm，所述導電介質層的厚度為400-700nm。

9.根據權利要求6-8任一所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述導電膠條（5）的所述條形絕緣區域（1）和所述條形導電區域（2）等距間隔交替設置。

10.根據權利要求1-9任一所述的屏體老煉引線布線結構，其特征在于，所述條形絕緣區域（1）和所述條形導電區域（2）長度方向與所述導電膠條（5）的長度方向的夾角為90°。

11.一種屏體老煉引線布線結構的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

S1、在玻璃基板的老煉區域上濺射一層ITO層，在所述ITO層上濺射一層導電介質層，制得老煉引線層；

S2、通過刻蝕工藝，在步驟S1中制得的老煉引線層中刻蝕得到左SEG老煉引線（41）、右SEG老煉引線（42）和COM老煉引線（3），所述COM老煉引線（3）的數量等于所述COM引線的數量；所述SEG老煉引線的數量等于所述SEG引線的數量，所述左SEG老煉引線（41）、所述右SEG老煉引線（42）和所述COM老煉引線（3）均為斜折線，所述斜折線包括順次與所述引線相連的斜線與折線，所述COM老煉引線（3）與所述左SEG老煉引線（41）、所述右SEG老煉引線（42）的最小間距均大于所述條形絕緣區域（1）和所述條形導電區域（2）交替等間距間隔設置的導電膠條（5）的相鄰導電區域（2）中心間距離；

S3、在制得的所述SEG老煉引線和所述COM老煉引線（3）上水平貼合所述條形絕緣區域（1）和所述條形導電區域（2）交替等距間隔設置導電膠條（5）。