[發明專利]階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法有效
| 申請號: | 201210514213.7 | 申請日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103060914A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 姚忻;彭波南;程玲;莊宇峰;許恒恒;郭林山;王偉 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | C30B29/22 | 分類號: | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 階梯 加速 快速 生長 rebco 高溫 超導 塊體 方法 | ||
1.一種階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法,其特征在于,以c軸取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜為籽晶,將所述薄膜籽晶的ab面接觸前驅塊體的上表面,將所述前驅塊體和所述薄膜籽晶置于生長爐中進行熔融結構生長,所述生長爐的具體溫度程序為:從室溫開始經過5h升溫至960℃,保溫3h;繼續加熱,升溫至最高溫度Tmax,保溫1~2h;在15min內,降溫至起始生長溫度Ts;在生長溫度區間內,采用階梯型加速緩冷的生長程序,生長REBCO高溫超導塊體;
所述階梯型加速緩冷的生長程序采用階梯型的逐漸增加的降溫速率,包括一個以上生長階段,不同生長階段的降溫速率不同,每個所述生長階段的降溫速率比其前一個生長階段的降溫速率高25%~100%,每個所述生長階段的降溫速率相同,每個所述生長階段的生長時間為5~15h。
2.如權利要求1所述的階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法,其中,所述前驅塊體的制備步驟為:
①按照RE∶Ba∶Cu=1∶2∶3和RE∶Ba∶Cu=2∶1∶1的比例,將RE2O3、BaCO3和CuO粉末混合以獲得RE123相和RE211相粉料;按照RE∶Ba∶Cu=2∶4∶2的比例,將RE2O3、BaO2和CuO粉末混合以獲得RE242相粉料;按照RE∶Ba∶Cu∶Bi=2∶4∶1∶1的比例,將RE2O3、BaCO3、CuO和Bi2O3粉末混合以獲得RE2411相粉料;
②分別將步驟①所述RE123相粉料、所述RE211相粉料、所述RE242相粉料和所述RE2411相粉料充分研磨均勻后、燒結,將燒結后的粉末再次研磨、燒結,重復三次,得到組分均勻單一的RE123純相粉末、RE211純相粉末、RE242純相粉末和RE2411純相粉末;
③將步驟②獲得的所述RE123純相粉末、所述RE211純相粉末、所述RE242純相粉末和所述RE2411純相粉末按照RE123+22.2mol%RE211+7.8mol%RE242+8wt%RE2411+1wt%CeO2的組分配料,充分碾磨混合均勻后,放入模具,壓制成圓柱形的前驅塊體。
3.如權利要求1所述的階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法,其中,所述NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶的尺寸為2mm×2mm。
4.如權利要求1所述的階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法,其中,所述RE為Sm。
5.如權利要求1所述的階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法,其中,所述最高溫度Tmax為1106℃。
6.如權利要求1所述的階梯型加速緩冷快速生長REBCO高溫超導塊體的方法,其中,所述起始生長溫度Ts為1067℃。
7.如權利要求2所述的前驅塊體的制備步驟,其中,步驟②所述RE123相粉料、所述RE211相粉料和所述RE2411相粉料的燒結氣氛為空氣,燒結時間為48h,對應的燒結溫度分別為900℃、900℃和950℃;所述RE242相粉料的燒結氣氛為N2,燒結時間為24h,燒結溫度為850℃。
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