[發明專利]納米線的制造方法、納米線場效應晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201210513894.5
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN103854971A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 肖德元;洪中山
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種納米線的制造方法，其特征在于，包括：

形成橫截面呈長方形的第一納米線；

在所述第一納米線的表面上形成半導體層，形成包括所述第一納米線和所述半導體層的第二納米線，所述第二納米線橫截面為邊長數大于或等于五的多邊形；

對所述第二納米線進行退火，以形成納米線。

2.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，形成半導體層的步驟包括：形成包圍所述第一納米線的半導體層。

3.如權利要求2所述納米線的制造方法，其特征在于，所述第一納米線的橫截面為正方形。

4.如權利要求3所述納米線的制造方法，其特征在于，所述半導體層的橫截面為八邊形。

5.如權利要求3所述納米線的制造方法，其特征在于，所述第一納米線包括兩個(100)晶面的表面和兩個(110)晶面的表面。

6.如權利要求5所述納米線的制造方法，其特征在于，所述第二納米線包括兩個(100)晶面的表面、兩個(110)晶面的表面和四個(111)晶面的表面。

7.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，所述納米線的橫截面的形狀為圓形或橢圓形。

8.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，形成半導體層的步驟包括：形成半包圍所述第一納米線的半導體層。

9.如權利要求8所述納米線的制造方法，其特征在于，

所述第一納米線的橫截面為正方形，所述半導體層僅包圍所述第一納米線的三個面；

形成納米線的步驟包括：形成橫截面為Ω形的納米線。

10.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，形成半導體層的步驟包括：通過選擇性外延生長的方式在所述第一納米線表面形成所述半導體層。

11.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，所述半導體層的材料與所述第一納米線的材料相同。

12.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，所述半導體層的材料與所述第一納米線的材料不同。

13.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，所述半導體層的材料、所述第一納米線的材料為硅、硅鍺、碳化硅、鍺或其他III-V族元素的材料。

14.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，所述退火的步驟包括：在氦氣、氫氣或氘氣的氣體環境中，在溫度超過900℃的條件下進行退火。

15.如權利要求1所述納米線的制造方法，其特征在于，在退火的步驟之后，還包括：對納米線進行至少一次氧化和濕法刻蝕的步驟。

16.一種納米線場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一半導體層；

圖形化所述第一半導體層，形成源極區域、漏極區域以及位于所述源極區域、漏極區域之間具有長方形橫截面的第一納米線；

在所述第一納米線的表面上形成半導體層，形成包括所述第一納米線和所述半導體層的第二納米線，所述第二納米線橫截面為邊長數大于或等于五的多邊形；

對所述第二納米線進行退火，以形成納米線；

在所述納米線上形成柵極；

對所述源極區域、漏極區域進行摻雜，分別形成源極、漏極。

17.如權利要求16所述納米線場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述納米線的橫截面形狀為圓形或橢圓形，形成柵極的步驟包括：在所述納米線上形成圍柵。

18.如權利要求16所述納米線場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述納米線的橫截面形狀為Ω形，形成柵極的步驟包括：在所述納米線上形成Ω形的柵極。