[發(fā)明專利]薄膜沉積方法和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210513885.6
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN103854970B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉煥新
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種薄膜沉積方法，包括將多塊晶圓放入垂直式爐管中，進(jìn)行薄膜沉積，其特征在于，在將所述晶圓放入爐管前，在所述晶圓的背面形成氧化層；

在所述晶圓的背面形成氧化層包括：先采用HF和HNO₃的混合溶液清洗晶圓背面；之后以DIO₃清洗以在晶圓背面形成第一氧化層；

在所述晶圓的背面形成所述第一氧化層后，以DHF溶液除去所述第一氧化層；再以DIO₃溶液清洗以在晶圓背面形成第二氧化層；

在所述多塊晶圓放入垂直式爐管前，在所述晶圓的薄膜沉積面上由下至上依次形成高K介電層和蝕刻阻擋層；

在所述多塊晶圓放入垂直式爐管后，在各塊所述晶圓的薄膜沉積面上形成一層多晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，所述HF和HNO₃在所述混合溶液中的體積比為1:20～200。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積方法，其特征在于，以所述HF和HNO₃的混合溶液清洗晶圓的溫度為25～45℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于，以所述HF和HNO₃的混合溶液持續(xù)清洗晶圓3～20秒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，DHF溶液體積濃度為1:50～200。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積方法，其特征在于，以DHF溶液清洗晶圓在室溫條件下進(jìn)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜沉積方法，其特征在于，以DHF溶液持續(xù)清洗晶圓0.5～2分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，所述DIO₃溶液的濃度為10～85ppm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜沉積方法，其特征在于，以所述DIO₃溶液在常溫下清洗晶圓。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜沉積方法，其特征在于，以所述DIO₃溶液持續(xù)清洗晶圓0.5～3分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積方法，其特征在于，所述晶圓的背面形成氧化層的厚度為10～14埃。