[發明專利]使用紅外光源解決外延工藝光刻露光對準的方法

在審

• 申請號: 201210513692.0
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN103854969A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 陳志剛;劉金磊
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種使用紅外光源解決外延工藝光刻露光對準的方法，其特征在于，包括步驟：

1）被對準層的對準記號進行干法或濕法刻蝕，形成刻蝕孔；

2）在刻蝕孔內進行填充物成長，形成填充層；

3）將填充層回刻至被對準層表面，形成被對準層的對準記號；

4）在被對準層的對準記號上方，進行外延成長；

5）外延成長后的下方被對準層露光時，通過光刻對準的光源使用紅外線的方式，讀取外延成長前的被對準層的對準記號。

2.如權利要求1所述的，其特征在于：所述步驟2）中，填充物包括：金屬、重摻雜的二氧化硅或硅。

3.如權利要求2所述的，其特征在于：所述金屬，包括WSi。

4.如權利要求2所述的，其特征在于：所述重摻雜中的摻雜量大于1×10^-14/cm²。

5.如權利要求1所述的，其特征在于：所述步驟3）中，回刻的方法為反刻。