[發(fā)明專利]防污觸摸屏及其制備方法和手持移動(dòng)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210512836.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN103019443A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張迅;張伯倫;孫一綺;易偉華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西沃格光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種防污觸摸屏及其制備方法和含有該防污觸摸屏的手持移動(dòng)設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著觸摸屏技術(shù)的發(fā)展，各種使用觸摸屏的便攜式設(shè)備（手機(jī)、平板電腦等）逐漸成為人們生活中的必需品。人們?cè)谙硎苁种赣|摸這種方便快捷的操作方式時(shí)，不得不面對(duì)觸摸屏容易被手指上的油漬、環(huán)境中灰塵等污染，從而引起觸摸屏顯示不清晰、觸摸屏表面臟污難清潔等問題，而防觸摸屏臟污的問題一直沒有得到很好解決。

研究人員在這一問題上做了大量的工作，如，通過改變觸摸屏的材質(zhì)、在觸摸屏表面貼附一層保護(hù)膜。在觸摸屏表面貼附一層保護(hù)膜的方法相對(duì)比較有效，但是也存在很多問題，如，保護(hù)膜在使用一段時(shí)間后由于臟污仍會(huì)引起觸摸屏顯示不清晰的問題，因此，需要定期更換保護(hù)膜，而定期更換不僅麻煩，成本相對(duì)也較高；而且保護(hù)膜的厚度一般都在0.05mm以上，這樣就造成整個(gè)觸摸屏厚度增加比較大，從而導(dǎo)致觸摸屏響應(yīng)速度變慢。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種具有防污特性的防污觸摸屏及其制備方法。

一種防污觸摸屏，包括觸摸屏基板、設(shè)于所述觸摸屏基板上的SiO₂層及設(shè)于所述SiO₂層上的CaF₂層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述SiO₂層的厚度為10~20nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述CaF₂層的厚度為15~25nm。

由于SiO₂層具有良好的絕緣性能、穩(wěn)定性好、硬度高、抗磨耐腐蝕、與觸摸屏基板結(jié)合力強(qiáng)以及良好的透光性等優(yōu)點(diǎn)，使得SiO₂層能作為保護(hù)層對(duì)觸摸屏基板起保護(hù)作用同時(shí)還不影響觸摸屏基板的透光性。而CaF₂層能較好的填充在SiO₂層表面的毛細(xì)孔中，使得SiO₂層表面的毛細(xì)孔填充得更加綿密平實(shí)，使得指紋、臟污不易附著于防污觸摸屏的表面。而且CaF₂層具有良好的透光、防水防油及與SiO₂層具有強(qiáng)的結(jié)合力等特性。因此，上述防污觸摸屏自身具有優(yōu)良的防污特性，而且還不影響觸摸屏的響應(yīng)速度。此外，性能檢測(cè)結(jié)果顯示上述防污觸摸屏具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高溫等特性，以及在常溫下具有穩(wěn)定的物理化學(xué)和生物性能。

一種防污觸摸屏的制備方法，包括如下步驟：

使用Si靶材進(jìn)行真空磁控濺射鍍膜，在觸摸屏基板上鍍制SiO₂層；

使用CaF₂靶材進(jìn)行真空磁控濺射鍍膜，在所述SiO₂層上鍍制CaF₂層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述使用Si靶材進(jìn)行真空磁控濺射鍍膜的過程中，真空鍍膜室中氣體氛圍為氧氣氛圍，總氣壓為0.4Pa；Si靶材與觸摸屏基板之間相距75mm，觸摸屏基板的走速為37.5mm/s，鍍膜時(shí)間為100s，鍍制的SiO₂層的厚度控制在10~20nm之間。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，使用CaF₂靶材進(jìn)行真空磁控濺射鍍膜的過程中，真空鍍膜室中氣體氛圍為氬氣氛圍，總氣壓為0.4Pa；CaF₂靶材與觸摸屏基板之間相距75mm，觸摸屏基板的走速為37.5mm/s，鍍膜時(shí)間為100s，鍍制的CaF₂層的厚度控制在18~22nm之間。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括在鍍制SiO₂層前對(duì)所述觸摸屏基板進(jìn)行預(yù)熱的步驟，預(yù)熱的溫度為70~90℃。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括在鍍制SiO₂層前對(duì)所述觸摸屏基板進(jìn)行清洗以除去所述觸摸屏基板表面臟污的步驟。

上述防污觸摸屏的制備方法，首先采用真空磁控濺射鍍膜的方法在觸摸屏基板鍍制SiO₂層，然后在SiO₂層上鍍制透明防污的CaF₂層。真空磁控濺射鍍膜具有易于控制膜的厚度、成膜速率快，便于大面積鍍膜等優(yōu)點(diǎn)，從而使得上述防污觸摸屏的制備方法具有反應(yīng)易于控制、適于工業(yè)化生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。而且制備得到的防污觸摸屏自身具有防污的特性，同時(shí)還具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高溫等特性，以及在常溫下具有穩(wěn)定的物理化學(xué)和生物性能。