[發明專利]用于微電子裝置中接合的摻雜4N銅線

無效

• 申請號: 201210511150.X
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103151091A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 穆拉利·薩蘭加帕尼;楊平熹;歐根·米爾克
• 申請（專利權）人: 賀利氏材料科技公司
• 主分類號: H01B1/02
• 分類號: H01B1/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種用于微電子學中接合的摻雜4N銅線，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群組中的一者或一者以上作為耐腐蝕性摻雜材料，其中所述耐腐蝕性摻雜材料的濃度在約10wt.ppm與約80wt.ppm之間。?

2.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約10wt.ppm到約80wt.ppm的Ag。?

3.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約10wt.ppm到約80wt.ppm的Ni。?

4.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約10wt.ppm到約80wt.ppm的Au。?

5.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約10wt.ppm到約80wt.ppm的Cr。?

6.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約10wt.ppm到約40wt.ppm的Ag和約10wt.ppm到約40wt.ppm的Ni。?

7.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約10wt.ppm到約40wt.ppm的Ag和約10wt.ppm到約40wt.ppm的Cr。?

8.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約5wt.ppm到約30wt.ppm的Ag、約5wt.ppm到約25wt.ppm的Ni和約5wt.ppm到約25wt.ppm的Pd。?

9.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約5wt.ppm到約10wt.ppm的Ag、約5wt.ppm到約10wt.ppm的Ni和約5wt.ppm到約10wt.ppm的Pd。?

10.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約5wt.ppm到約25wt.ppm的Ag、約5wt.ppm到約25wt.ppm的Ni和約5wt.ppm到約15wt.ppm的Pd。?

11.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約5wt.ppm到約35wt.ppm的Ag、約5wt.ppm到約10wt.ppm的Ni和約5wt.ppm到約10wt.ppm的Pd。?

12.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約5wt.ppm到約30wt.ppm的Ag和約5wt.ppm到約30wt.ppm的Ni。?

13.根據權利要求1所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料包含約5wt.ppm到約30wt.ppm的Ag和約5wt.ppm到約30wt.ppm的Pd。?

14.根據權利要求12所述的摻雜4N銅線，其進一步包含約5wt.ppm到約20wt.ppm的B。?

15.根據權利要求13所述的摻雜4N銅線，其進一步包含約5wt.ppm到約20wt.ppm的B。?

16.根據權利要求1到15中任一權利要求所述的摻雜4N銅線，其進一步包含約1wt.ppm到約3wt.ppm的S。?

17.一種用于微電子學中接合的摻雜4N銅線，其由以下組成：?

4N銅；?

Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群組中的一者或一者以上，作為耐腐蝕性摻雜材料，其中所述耐腐蝕性摻雜材料的濃度在約10wt.ppm與約80wt.ppm之間，和?

可能或可能不存在的另一種組分，所述另一種組分選自B和S中的一者或一者以上。?

18.根據權利要求17所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料是約10wt.ppm?到約80wt.ppm的Ag。?

19.根據權利要求17所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料是約10wt.ppm到約80wt.ppm的Ni。?

20.根據權利要求17所述的摻雜4N銅線，其中所述耐腐蝕性摻雜材料是約10wt.ppm到約80wt.ppm的Au。?