[發明專利]增強的FINFET工藝覆蓋標記

有效

• 申請號: 201210511012.1
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103681622A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 謝啟文;張岐康;劉家助;陳孟偉;陳桂順
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種集成電路器件，包括：

襯底，具有有源器件區域和覆蓋標記區域；以及

多個鰭，設置在所述襯底上的所述覆蓋標記區域中，所述多個鰭中的每個鰭均包括縱向本體和鰭線端部，所述鰭線端部限定用于由覆蓋計量系統實施的掩模覆蓋分析的參考位置。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個鰭中的每個鰭都進一步包括凸起的襯底區域。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個鰭中的第一鰭具有沿著第一軸線定向的線端部，并且所述多個鰭中的第二鰭具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的線端部。

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個鰭中的鰭包括沿著第一軸線定向的第一線端部和沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的第二線端部。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個鰭的間距小于所述覆蓋計量系統的最小可分辨距離。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個鰭中的鰭包括第一鰭線端部和第二鰭線端部，所述第一線端部限定第一覆蓋標記的參考位置，所述第二線端部限定第二覆蓋標記的參考位置；以及

所述第一覆蓋標記與所述第二覆蓋標記不相鄰。

7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，

所述襯底的所述覆蓋標記區域包括對應于第一覆蓋標記的第一標記區域和對應于第二覆蓋標記的第二標記區域；

所述第一覆蓋標記與所述第二覆蓋標記不相鄰；以及

所述多個鰭中的鰭從所述第一標記區域延伸到所述第二標記區域。

8.一種方法，包括：

接收具有覆蓋區域的襯底；

在所述襯底上形成一個或多個介電層；

在所述一個或多個介電層上形成硬掩模層；

圖案化所述硬掩模層以形成硬掩模層部件，所述硬掩模層部件被配置成限定設置在所述覆蓋區域中的覆蓋標記鰭；

在圖案化的硬掩模層上形成間隔件，所述間隔件進一步限定所述覆蓋標記鰭；

切割所述覆蓋標記鰭以形成限定用于掩模覆蓋計量的參考位置的鰭線端部；

使用所述間隔件蝕刻所述一個或多個介電層，所述介電層的蝕刻進一步限定所述覆蓋標記鰭；以及

使用蝕刻的一個或多個介電層來蝕刻所述襯底，所述襯底的蝕刻進一步限定所述覆蓋標記鰭。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，

所述硬掩模層部件是第一硬掩模層部件并且被配置成限定具有沿著第一軸線定向的縱向主體的第一覆蓋標記鰭；以及

圖案化所述硬掩模層進一步形成第二硬掩模層部件，所述第二硬掩模層部件被配置成限定設置在所述覆蓋區域中并且具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的縱向主體的第二覆蓋標記鰭。

10.一種方法，包括：

接收具有有源器件區域和覆蓋標記區域的襯底，所述襯底進一步具有形成在所述襯底上的一個或多個介電層和硬掩模層；

圖案化所述硬掩模層以形成限定覆蓋標記鰭的硬掩模層部件，其中，所述圖案化進一步形成被配置成提供覆蓋計量參考位置的硬掩模層溝槽；

在圖案化的硬掩模層上形成第一間隔件，所述第一間隔件進一步限定所述覆蓋標記鰭；

使用所述第一間隔件蝕刻所述一個或多個介電層，介電層的蝕刻進一步限定所述覆蓋標記鰭；以及

使用被蝕刻的一個或多個介電層蝕刻所述襯底，所述襯底的蝕刻進一步限定所述覆蓋標記鰭。