[發明專利]絕緣薄膜及其生產方法

有效

• 申請號: 201210510162.0
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103854813B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 廖洪傳;克里斯·本森;梁勇;湯姆·卡爾森
• 申請（專利權）人: 伊利諾斯工具制品有限公司
• 主分類號: H01B17/60
• 分類號: H01B17/60;H01B19/00;B32B27/32;B32B27/36;B32B27/18;B29C47/56;B29C47/06
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 脫穎

1.一種用于對電子器件絕緣的絕緣薄膜，其包括:

薄膜上層和薄膜下層，所述薄膜上層由PC或PET材料制成，所述薄膜下層由PC或PET材料制成，所述薄膜上層和所述薄膜下層中含有無鹵阻燃劑，以滿足其阻燃性；和

薄膜中層，所述薄膜中層位于所述薄膜上層和所述薄膜下層之間，所述薄膜中層由PC或PET材料制成，所述薄膜中層中不含有或含有少量的無鹵阻燃劑；

所述薄膜中層的上表面和所述薄膜上層的下表面粘結在一起，所述薄膜中層的下表面和所述薄膜下層的上表面粘結在一起，

其中，所述薄膜上層和所述薄膜下層中的所述無鹵阻燃劑占所述薄膜上層或所述薄膜下層的質量的0.3％-15％；

其中，當所述薄膜中層中含有少量的無鹵阻燃劑時，所述薄膜中層中的所述無鹵阻燃劑的質量小于所述薄膜中層的質量的5％；并且

其中,所述薄膜中層的厚度為所述絕緣薄膜的厚度的5％-50％，所述薄膜上層和所述薄膜下層的總厚度為所述絕緣薄膜的厚度的50％-95％。

2.如權利要求1所述的絕緣薄膜，其中所述薄膜上層和所述薄膜下層中的所述無鹵阻燃劑包括含磷阻燃劑或含硅阻燃劑。

3.如權利要求2所述的絕緣薄膜，其中所述薄膜上層和所述薄膜下層中的PC或PET占所述薄膜上層或所述薄膜下層的質量的85％-99.7％。

4.如權利要求3所述的絕緣薄膜，其中所述薄膜中層中的所述無鹵阻燃劑包括含磷阻燃劑或含硅阻燃劑。

5.如權利要求1所述的絕緣薄膜的抗刺穿強度不小于60g。

6.如權利要求1所述的絕緣薄膜，其中所述絕緣薄膜的總厚度范圍為0.05mm-3.0mm。

7.如權利要求1-6任何一項所述的絕緣薄膜使用共擠工藝、涂膠貼合工藝或熱壓工藝加工而成。

8.一種生產絕緣薄膜的方法，所述絕緣薄膜用于對電子器件絕緣，所述方法包括：

在第一擠出機上，擠出無鹵阻燃PC或PET粒子使其熔化，熔融狀態的無鹵阻燃PC或PET從所述第一擠出機流出后通過后續連接管道進入分配器，在所述分配器將從所述第一擠出機上擠出的所述熔融狀態的無鹵阻燃PC或PET分成兩股，分別為第一熔融無鹵阻燃PC或PET和第二熔融無鹵阻燃PC或PET；

在第二擠出機上擠出不含有或含有少量無鹵阻燃劑的PC或PET粒子使其熔化，熔融狀態的不含有或含有少量無鹵阻燃劑的PC或PET從所述第二擠出機流出后通過后續連接管道進入所述分配器，在所述分配器，所述熔融狀態的不含有或含有少量無鹵阻燃劑的PC或PET流入所述第一熔融無鹵阻燃PC或PET和所述第二熔融無鹵阻燃PC或PET之間；

所述第一熔融無鹵阻燃PC或PET、所述熔融狀態的不含有或含有少量無鹵阻燃劑的PC或PET和所述第二熔融無鹵阻燃PC或PET在所述分配器里疊合在一起,然后流出所述分配器，流經模頭，然后進入冷卻成型輥冷卻成型為片/膜，所述片/膜具有由所述無鹵阻燃PC或PET粒子制成的薄膜上層和薄膜下層，和由所述不含有或含有少量無鹵阻燃劑的PC或PET粒子制成的薄膜中層；

其中，所述無鹵阻燃PC或PET粒子中的無鹵阻燃劑占所述無鹵阻燃PC或PET粒子的質量的0.3％-15％；

其中，當所述不含有或含有少量無鹵阻燃劑的PC或PET粒子中含有少量無鹵阻燃劑時，所述無鹵阻燃劑的質量含量小于5％；并且

其中,所述薄膜中層的厚度為所述絕緣薄膜的厚度的5％-50％，所述薄膜上層和所述薄膜下層的總厚度為所述絕緣薄膜的厚度的50％-95％。