[發明專利]集成電路和IC制造方法

有效

• 申請號: 201210509776.7
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103137620A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 邁克爾·博爾特;紀堯姆·迪布瓦;納維恩·阿格拉沃爾;高拉夫·比希特;賈亞拉·蒂萊高文登;廖潔;林欽;尼科·貝克曼;皮特·威塞爾斯
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種集成電路管芯，包括有源襯底(20)，所述有源襯底(20)包括通過相應的隔離結構(30)彼此橫向分離的多個部件，所述隔離結構中的至少一些隔離結構承載另外部件(40)，其中承載所述另外部件的隔離結構下方的有源襯底的相應部分與所述部件電絕緣。

2.根據權利要求1所述的集成電路管芯，其中所述另外部件(40)是無源部件。

3.根據權利要求2所述的集成電路管芯，其中所述無源部件(40)包括多晶硅。

4.根據權利要求3所述的集成電路管芯，其中所述無源部件(40)包括多晶硅電阻器。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的集成電路管芯，其中所述有源襯底(20)形成于電絕緣層(10)上。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的集成電路管芯，其中承載另外部件(40)的隔離結構(30)中的每一個被延伸穿過所述有源襯底(20)的電絕緣保護環(50)包圍。

7.根據權利要求6所述的集成電路管芯，其中所述保護環(50)是中等溝槽隔離結構。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的集成電路管芯，其中所述有源襯底的相應部分與地相連。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的集成電路管芯，其中所述有源襯底(20)還包括接觸端，所述接觸端與所述相應部分電絕緣。

10.一種電子設備，包括根據權利要求1至9中任一項所述的集成電路管芯。

11.一種制造集成電路管芯的方法，包括：

提供載體(10)；

在所述載體上形成有源襯底(20)；

在所述有源襯底中形成多個隔離結構(30)，從而限定通過所述隔離結構橫向分離的多個有源區；

在所述多個有源區中的相應有源區中形成多個部件；

在所述多個隔離結構中的相應隔離結構上形成多個另外部件(40)；以及

將所述隔離結構下方的所述有源襯底的相應部分與所述部件電絕緣。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述電絕緣步驟包括：

形成多個溝槽，所述另外溝槽的每一個包圍承載另外部件的所述隔離結構之一，所述另外溝槽的每一個延伸穿過所述有源襯底；以及

用另外電絕緣材料填充所述另外溝槽的每一個。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述另外電絕緣材料包括氧化硅(SiO₂)。

14.根據權利要求11至13中任一項所述的方法，其中在所述多個隔離結構(30)的相應隔離結構上形成多個另外部件(40)的步驟進一步包括在所述隔離結構上形成多個多晶硅電阻器。

15.根據權利要求11至14中任一項所述的方法，其中所述載體(10)包括電絕緣材料。