[發明專利]一種硅基光電探測器及制備方法和用途

有效

• 申請號: 201210509688.7
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN102983205A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 祖佰祎;竇新存;陸彬;張磊;郭林娟
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: H01L31/103
• 分類號: H01L31/103;H01L31/18
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所 65106
• 代理人: 張莉

1.一種硅基光電探測器，其特征在于該探測器由下至上為Si基體（1），SiO₂層（2），Au薄膜電極（3），SiO₂層（2）為Si基體（1）表面熱氧化得到，Au膜（3）為真空濺射在SiO₂層（2）上，導線與Au電極通過銀漿（4）粘結制成，其中Si基體（1）厚度為150????????????????????????????????????????????????-675，SiO₂層（2）厚度為50-500，Au膜（3）厚度為30-300，電極間隙寬度22。

2.根據權利要求1所述的硅基光電探測器的制備方法，其特征在于采用真空鍍膜方式，具體操作步驟按下進行：

a、將附著SiO₂層（2）的Si基體（1）切割成長方形片，用去離子水、丙酮、乙醇分別梯度清洗，時間10，再用等離子清洗儀清洗10，將表面清洗干凈；

b、將SiO₂/Si片置于等離子濺射儀中，SiO₂層（2）面向上，在SiO₂層（2）表面采用真空鍍膜鍍Au膜（3）；

c、用細針劃線、撕去膠帶或濾紙擦拭的方法除去部分的Au，Au膜（3）之間形成一個間隙，使Au膜（3）成為2個電極，用銀漿（4）粘接引出導線，即可得到所述硅基光電探測器。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于步驟a中所述Si基體（1）為p型單晶Si，取向為<111>面。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于步驟b中的真空鍍膜為等離子濺射。

5.根據權利要求1所述的硅基光電探測器的用途，其特征在于該光電探測器用于紫外或可見波段的光信號轉換成電信號的傳感器。