[發明專利]IGBT及其制作方法

無效

• 申請號: 201210509411.4
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103855201A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 喻巧群;朱陽軍;盧爍今;胡愛斌;田曉麗
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;江蘇物聯網研究發展中心;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種IGBT，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括漂移區；

位于所述漂移區背面且與所述漂移區背面直接電性接觸的復合層，所述復合層僅覆蓋所述漂移區背表面的部分區域。

2.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述復合層的材料為非晶硅。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述復合層的厚度為0.5~10μm，包括端點。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述復合層所覆蓋的漂移區背表面的面積占漂移區背表面總面積的比例為1:2~1:15。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述復合層包括多個復合部，各復合部之間具有間隙。

6.根據權利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述漂移區的背面具有多個凹槽，所述復合層填滿所述凹槽，且所述復合層底部與所述漂移區底部齊平。

7.根據權利要求6所述的IGBT，其特征在于，還包括，位于所述漂移區背面的集電區，所述集電區與所述復合層底部和所述漂移區底部直接電性接觸。

8.根據權利要求6所述的IGBT，其特征在于，還包括：

位于所述漂移區背面的緩沖層，所述緩沖層與所述復合層底部和所述漂移區底部直接電性接觸；

位于所述緩沖層底部且與所述緩沖層直接電性接觸的集電區。

9.根據權利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述復合層位于所述漂移區的背表面上。

10.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，還包括，位于所述多個復合部之間的集電區，所述集電區底部與所述復合層底部齊平，且所述集電區與各個復合部的側壁及所述漂移區的底部直接電性接觸。

11.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，還包括：

位于所述多個復合部之間的緩沖層，所述緩沖層的底部與所述復合層的底部齊平，且所述緩沖層與各個復合部的側壁及所述漂移區的底部直接電性接觸；

位于所述緩沖層底部和復合層底部且與所述緩沖層底部和復合層底部直接電性接觸的集電區。

12.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，還包括：

位于所述多個復合部之間的緩沖層，所述緩沖層的底部低于所述復合層的底部，且所述緩沖層與各個復合部的側壁及所述漂移區底部直接電性接觸；

位于所述多個復合部之間且位于所述緩沖層底部的集電區，所述集電區的底部與所述復合層的底部齊平。

13.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，還包括，位于所述漂移區背面的集電區，所述集電區完全覆蓋各個復合部的表面和位于各個復合部之間的漂移區的表面，且所述集電區與所述復合層底部和所述漂移區底部直接電性接觸。

14.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，還包括：

位于所述漂移區背面的緩沖層，所述緩沖層完全覆蓋各個復合部的表面和位于各個復合部之間的漂移區的表面，且所述緩沖層與所述復合層底部和所述漂移區底部直接電性接觸；

位于所述緩沖層底部且與所述緩沖層直接電性接觸的集電區。

15.一種IGBT的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括漂移區；

在所述漂移區的背面形成復合層，所述復合層僅覆蓋所述漂移區背表面的部分區域，且與所述漂移區的背面直接電性接觸。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述復合層包括多個復合部，各復合部之間具有間隙。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，所述在所述漂移區的背面形成復合層包括：

去除所述漂移區背面的部分材料，以在漂移區的背表面內形成多個開口；

在所述開口內填滿復合層材料，形成復合層，所述復合層的底部與所述漂移區的底部齊平。

18.根據權利要求17所述的方法，其特征在于，在形成所述復合層之后還包括，在所述漂移區的背表面上形成集電區，所述集電區與所述復合層底部和所述漂移區底部直接電性接觸。