[發(fā)明專利]肖特基二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210509046.7
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN103035751A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王飛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種肖特基二極管，包括N型襯底上的N型外延，N型外延中的深溝槽，深溝槽中具有二氧化硅層，深溝槽中的二氧化硅層內(nèi)側(cè)具有多晶硅區(qū)，在深溝槽之間的N型外延上方具有肖特基接觸區(qū)，肖特基接觸區(qū)上具有金屬層，多晶硅區(qū)與所述金屬層通過金屬線連接，其特征是：所述二氧化硅層的厚度大于1000埃。

2.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征是：所述深溝槽的深度大于4um。

3.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征是：所述金屬層是金屬鈦。