[發(fā)明專利]肖特基二極管無效

申請?zhí)枺?/td>	201210509046.7	申請日：	2012-11-23
公開（公告）號：	CN103035751A	公開（公告）日：	2013-04-10
發(fā)明（設計）人：	王飛	申請（專利權）人：	上海華虹NEC電子有限公司
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872;H01L29/06
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	丁紀鐵
地址：	201206 上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	肖特基二極管
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【權利要求書】：

1.一種肖特基二極管，包括N型襯底上的N型外延，N型外延中的深溝槽，深溝槽中具有二氧化硅層，深溝槽中的二氧化硅層內側具有多晶硅區(qū)，在深溝槽之間的N型外延上方具有肖特基接觸區(qū)，肖特基接觸區(qū)上具有金屬層，多晶硅區(qū)與所述金屬層通過金屬線連接，其特征是：所述二氧化硅層的厚度大于1000埃。

2.如權利要求1所述的肖特基二極管，其特征是：所述深溝槽的深度大于4um。

3.如權利要求1所述的肖特基二極管，其特征是：所述金屬層是金屬鈦。

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