[發明專利]一種CMOS圖像傳感器制造方法有效
| 申請號： | 201210508955.9 | 申請日： | 2012-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN102938410B | 公開（公告）日： | 2017-06-23 |
| 發明（設計）人： | 李琛;顧學強 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmos 圖像傳感器 制造 方法 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供SOI襯底，所述SOI襯底包括薄體硅襯底，厚體硅襯底以及二氧化硅層；
在所述薄體硅襯底上依次形成多個感光二極管區及第一金屬鍵合層，其中所述第一金屬鍵合層僅形成于所述多個感光二極管區的上方；
沿所述二氧化硅層將所述厚體硅襯底剝離；
提供體硅襯底，所述體硅襯底包括感光二極管對應區及其他電路區；
在所述體硅襯底上的感光二極管對應區依次形成多晶硅層、至少一層金屬互連層，并在頂層金屬互連層上方形成第二金屬鍵合層；以及
對所述薄體硅襯底與所述體硅襯底進行金屬鍵合。
2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，對所述薄體硅襯底與所述體硅襯底進行金屬鍵合的步驟包括：
將所述薄體硅襯底翻轉；
將所述薄體硅襯底與所述體硅襯底對準；
通過金屬鍵合工藝對所述薄體硅襯底與所述體硅襯底進行金屬鍵合。
3.根據權利要求2所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，將所述薄體硅襯底與所述體硅襯底對準的步驟包括：
在所述感光二極管區之外形成第一對準標記；
在所述感光二極管對應區之外形成第二對準標記；
通過所述第一對準標記與所述第二對準標記將所述薄體硅襯底與所述體硅襯底對準。
4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述第一金屬鍵合層和所述第二金屬鍵合層包括Ti層和Au層。
5.根據權利要求4所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，通過蒸鍍金屬膜形成所述第一金屬鍵合層及所述第二金屬鍵合層。
6.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，對所述薄體硅襯底與所述體硅襯底進行金屬鍵合的鍵合時間為30～120分鐘，鍵合溫度為420℃。
7.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：
在所述體硅襯底的其他電路區形成讀取電路、控制電路、互連線、IO及焊盤。
8.根據權利要求7所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述第一金屬鍵合層通過所述互連線與所述感光二極管區互連，所述第二金屬鍵合層通過所述互連線與所述體硅襯底上的頂層金屬互連層互連；所述體硅襯底上的多晶硅區、至少一層金屬互連層通過所述互連線互連。
9.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，還包括形成彩色濾鏡以及在每個所述彩色濾鏡上方形成微透鏡的步驟。
10.根據權利要求7所述的CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，還包括將所述焊盤進行金屬線引出以對所述CMOS圖像傳感器進行封裝的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
